基底二硒化鉬MoSe2薄膜 云母/石英襯底
西安齊岳生物供應(yīng)一系列的納米材料，供應(yīng)CVD-WS2-WSe2面內(nèi)異質(zhì)結(jié)、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續(xù)薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質(zhì)結(jié)。供應(yīng)基底二硫化鉬MoSe2薄膜
硒化鉬(MoSe2)薄膜的制備及其光電性質(zhì).以硒化鉬粉末作為原料、采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法在Si襯底上沉積硒化鉬薄膜.利用原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、霍爾效應(yīng)儀和UV-3600分光光度計分別表征了硒化鉬薄膜的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、光吸收性質(zhì)和MoSe2/Si異質(zhì)結(jié)的光電性質(zhì).分析可見所制備的硒化鉬薄膜由柱狀生長的硒化鉬納米顆粒構(gòu)成,且這些納米顆粒具有很強(qiáng)的垂直生長的取向.另外,還發(fā)現(xiàn)該硒化鉬薄膜對可見光有很強(qiáng)的吸收和的光電性質(zhì),表明硒化鉬薄膜在光電器件領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力.
基底二硒化鉬MoSe2薄膜 云母/石英襯底
產(chǎn)品列表：
TEM銅網(wǎng)基底MoSe2 氧化層厚度300nm
GaAs基底MoSe2薄膜
銅膜基底MoSe2薄膜
銀膜基底MoSe2薄膜
金膜基底MoSe2薄膜
高阻本征硅基底MoSe2（>10000ohm.cm）太赫茲
SrTiO3基底MoSe2薄膜
云母基底MoSe2薄膜
FTO基底MoSe2薄膜
ITO基底MoSe2薄膜
玻璃基底MoSe2薄膜
Si基底MoSe2薄膜
柔性PET基底MoSe2薄膜
石英基底MoSe2薄膜
藍(lán)寶石基底MoSe2薄膜
SiO2/Si基底MoSe2 氧化層厚度 非300nm
SiO2/Si基底MoSe2 氧化層厚度300nm
西安齊岳生物產(chǎn)品特點(diǎn)以及特點(diǎn)：
1.生產(chǎn)工藝簡化，雜質(zhì)低，穩(wěn)定
2.成本低
3.速度快，大部分產(chǎn)品備，一般發(fā)貨
溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）
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