Bi2Te3 碲化鉍晶體粉末(10mm*10mm)純度99

產(chǎn)品描述：

碲化鉍

分子式：Bi2Te3

分子量：800.76

規(guī)　格：99.99%，

外觀與性質(zhì)：灰色的粉末

主要用途：主要用于半導體，光電器件及溫差半導體致冷，溫差發(fā)電，Bi2Te3薄膜。

Bi2Te3 碲化鉍晶體粉末(10mm*10mm)純度99

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Bi2Se3 硒化鉍 孤立晶粒
Bi2Se3 硒化鉍 藍寶石基底CVD Bi2Se3連續(xù)膜
Bi2Te3 碲化鉍(10mm*10mm)
CVD 二硒化鉬：MoSe2
CVD 二硒化鎢薄膜 ： WSe2 （孤立晶粒、單層/多層連續(xù)薄膜）
CVD二硫化鎢薄膜：WS2
MoTe2 SiO2/Si基底二碲化鉬
NiTe2 孤立晶粒 二碲化鎳
ReS2 二硫化錸 藍寶石基底二硫化錸(10mm*10mm)
ReSe2 二硒化錸 藍寶石基底二硒化錸(10mm*10mm)
SnS2 二硫化錫 藍寶石基底二硫化錫(10mm*10mm)
SnSe2 二硒化錫 藍寶石基底SnSe2薄膜(10mm*10mm)
Ta2NiS5 晶體
不同層數(shù) 藍寶石基底二硒化鉑 PtSe2 (10mm*10mm)
碲化銻  CVD Sb2Te3薄膜
定制基底PtSe2
二硫化鉬薄膜: MoS2
二硫化錫 SnS2 孤立晶粒
二硒化鈀 PdSe2 SiO2/Si基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 藍寶石基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鈀 PdSe2 石英基底PdSe2(10mm*10mm)
二硒化鉑 PtSe2 石英基底PtSe2(10mm*10mm)

銅基單層氮化硼薄膜
SiO2/Si襯底單層氮化硼薄膜
一步轉移法單層氮化硼薄膜
CVD-2H-MoTe2全覆蓋連續(xù)薄膜（）
CVD-WSe2 全覆蓋連續(xù)薄膜
MBE-MoSe2三角形單晶
MBE-MoS2三角形單晶
MBE-WS2三角形單晶
MBE-WSe2三角形單晶
ALD-GaSe薄膜樣品
ALD-GaTe薄膜樣品
CVD-Sb2Te3 單層薄膜（）
CVD-MoSe2 單層薄膜（）
ALD-GaS薄膜樣品
ALD-Vdw薄膜樣品
CVD-PdSe2薄膜
CVD-PdS2薄膜
CVD-MoSe2多層薄膜
CVD-WS2多層薄膜
CVD-MoS2多層薄膜轉移的CVD類石墨烯
CVD-GaSe三角形晶體CVD-GaSe三角形單晶

溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）