g/i線光刻膠、KrF/ArF光刻膠在半導(dǎo)體集成電路中的應(yīng)用

      光刻膠是光刻成像的承載介質(zhì)，其作用是利用光化學(xué)反應(yīng)的原理將光刻系統(tǒng)中經(jīng)過(guò)衍射、濾波后的光信息轉(zhuǎn)化為化學(xué)能量，進(jìn)而完成掩模圖形的復(fù)制。目前，集成電路生產(chǎn)中使用的光刻膠一般由聚合物骨架、光致酸產(chǎn)生劑或光敏化合物、溶劑，以及顯影保護(hù)基團(tuán)、刻蝕保護(hù)基團(tuán)等其他輔助成分組成 。

光刻膠是一種有機(jī)化合物，它被紫外光曝光后，在顯影溶液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。硅片制造中所用的光刻膠以液態(tài)涂在硅片表面，而后被干燥成膠膜。

中文名：光刻膠

外文名：photoresist

別名：光致抗蝕劑

成分：感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑

分類：負(fù)性膠和正性膠

硅片制造中，光刻膠的目的主要有兩個(gè)：光刻膠原理，小孔成像；源頭，古老的相機(jī)；

（1）將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中；

（2）在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

 在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)；主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過(guò)程中，一般要對(duì)硅片進(jìn)行過(guò)十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過(guò)預(yù)烘、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。

感光阻焊油墨用于 PCB

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場(chǎng)。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的材料。

正性光刻膠顯影示意圖

按顯示分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。負(fù)性光刻膠顯影時(shí)形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。

負(fù)性光刻膠顯影示意圖

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物；

光聚合反應(yīng)示意圖

光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠。

產(chǎn)品供應(yīng)：

上述產(chǎn)品齊岳生物均可供應(yīng)，用于科研！

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