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NLD-3000原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅體流量的隨意性...

AT-400原子層沉積系統(tǒng)高縱橫比沉積，具有良好的共形性;曝光控制，用于在 3D 結構上實現(xiàn)所需的共形性；預置有經(jīng)驗證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方；簡單...

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素組成。...

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素...

NMC-4000PAMOCVD等離子輔助MOCVD：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)...

NMC-3000 PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝...

NMC-4000（M）PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有5個鼓...

NMC-4000（A）全自動PAMOCVD系統(tǒng)：針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)（PA-MOCVD）,該系統(tǒng)具有...

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于...

NLD-4000NLD-4000（ICPM）PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積...

NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)：能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空...

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭...

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片...

NSC-1000磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到2個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達...

NSC-3000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真...

NSC-3000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：臺式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到3個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...