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ESD61002B-智能型靜電放電發(fā)生器
  • ESD61002B-智能型靜電放電發(fā)生器

貨物所在地:廣東深圳市

更新時(shí)間:2024-09-22 21:00:05

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智能型靜電放電發(fā)生器ESD61002B*符合IEC61000-4-2和GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn)的要求,靜電放電發(fā)生器在為評(píng)定電氣和電子設(shè)備經(jīng)受靜電放電時(shí)的性能制定一個(gè)共同的準(zhǔn)則,該技術(shù)已達(dá)到水平.

 

智能型靜電放電發(fā)生器技術(shù)特點(diǎn):

符合 IEC61000-4-2 和 GB/T17626.2 標(biāo)準(zhǔn)的要求;

液晶顯示,智能控制

部分關(guān)鍵元器件采用*產(chǎn)品,可靠、耐用。

設(shè)備小巧輕便,易于操作

內(nèi)置靜電放電標(biāo)準(zhǔn)四等級(jí)參數(shù)

使用程控高壓電源,可靠性好

無(wú)論是接觸放電還是空氣放電,都可以持續(xù)在zui高電壓工作

使用簡(jiǎn)單,無(wú)需注意操作順序(有軟件保護(hù))

可以方便更換阻容器件,以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)的試驗(yàn)要求

可以根據(jù)國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)變化,在原來(lái)設(shè)備上輕易升級(jí)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

智能型靜電放電發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)

 

 

參數(shù)

ESD61002B

輸出電壓

0.2-± 30kV ± 5%

輸出電壓極性

/ 負(fù)

放電電容

150pF

放電電阻

330 Ω

放電電流上升時(shí)間

0.7 1ns

工作形式

放電時(shí)間間隔可以設(shè)置在 0.05 99.99s 之間,可滿足各種操作方式,如 20PPS 放電; 設(shè)置值小于 0.05s 時(shí),是單次放電。

放電次數(shù)設(shè)定

1 9999 或無(wú)限次

放電形式

接觸放電

空氣放電

放電次數(shù)

可預(yù)設(shè)置 1-9999 次或無(wú)限次

設(shè)備工作電源

AC220V ± 10%  50Hz

環(huán)境溫度

15 -35

 

智能型靜電放電發(fā)生器可選附件:標(biāo)準(zhǔn)靜電放電試驗(yàn)桌

試驗(yàn)臺(tái)是為靜電放電試驗(yàn)而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的試驗(yàn)裝置,符合IEC61000-4-2和GB/T17626.2標(biāo)準(zhǔn),也可以用于脈沖群和衰減振蕩波的抗擾度試驗(yàn)。

 

1.木制試驗(yàn)臺(tái)

長(zhǎng)1.6m×寬0.8m×高0.8m
白色實(shí)木,用于ESD測(cè)試

2.參考接地板
材料:金屬鋁.長(zhǎng)2.0m×1.5m;1mm
用于測(cè)試木桌的地面參考板

3.水平耦合板

材料:金屬鋁.長(zhǎng)1.6m×0.8m;1mm
用于水平參考平面

4.絕緣墊

厚度小于0.5mm

5.垂直耦合板

材料:金屬鋁.長(zhǎng)0.5m×0.5m;2mm
用于ESD測(cè)試,加木制底座.

6.電阻線

2*470kΩ;兩根導(dǎo)線,長(zhǎng)2.0m1.2m

 

靜電放電模型



一般工業(yè)界將組件的ESD測(cè)試分類(lèi)為人體放電模型(Human Body Model, HBM),機(jī)器放電模型(Machine Model, MM)及組件充電模型(Charged Device Model, CDM),而組件充電模型又可分為socketednon-socketed兩種測(cè)試方法。



HBM
人體放電模型是仿真人體因走動(dòng)或其它因素而在人體上累積靜電后,再去碰觸到IC,人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由碰觸的腳位而進(jìn)入IC內(nèi),若IC有一端接地而形成放電路徑時(shí),便會(huì)經(jīng)由接地腳位放電。此放電的過(guò)程會(huì)在短短數(shù)百毫微秒(ns)的時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流,進(jìn)而將IC內(nèi)的電路燒毀。對(duì)一般組件可耐受的HBM 2 kV來(lái)說(shuō),在2~10 ns的時(shí)間內(nèi),瞬間電流峰值可達(dá)1.33 A。



MM
機(jī)器放電模型則是70年代由日本人根據(jù)HBM的zui嚴(yán)重狀況所發(fā)展出來(lái)。機(jī)器放電模式是仿真設(shè)備機(jī)器(例如機(jī)械手臂、測(cè)試夾具、手工具等)本身累積了靜電,當(dāng)此機(jī)器碰觸IC時(shí),靜電便對(duì)該IC放電。雖然MMHBM的放電行為模式相類(lèi)似,但當(dāng)MM發(fā)生時(shí)皆為金屬對(duì)金屬的接觸,因此接觸電阻微乎其微,而且一般機(jī)器設(shè)備的電容皆遠(yuǎn)大于人體,因此可以儲(chǔ)存更多的靜電荷,所以不但造成放電的速度很快,放電電流也較HBM大了數(shù)倍,在幾十毫微秒之內(nèi)會(huì)有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生,因此機(jī)器放電模型對(duì)IC造成的破壞更大。而且由于電感效應(yīng)的影響,MM放電時(shí)將以正負(fù)電流振蕩的型式影響產(chǎn)品,因此造成的破壞將更加嚴(yán)重。



CDM
組件充電模型是指IC先因磨擦或感應(yīng)等因素而在IC內(nèi)部累積了靜電,但在靜電慢慢累積的過(guò)程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過(guò)程中,當(dāng)其任一接腳碰觸到接地導(dǎo)體時(shí),IC內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由接腳流出而造成放電現(xiàn)象。此種模型的放電時(shí)間更短,僅約幾個(gè)毫微秒。且因?yàn)?/span>IC內(nèi)部累積的靜電會(huì)因?qū)Φ氐牡刃щ娙葜刀儯刃щ娙葜涤趾?/span>IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式有關(guān),所以放電現(xiàn)象更難真實(shí)模擬。關(guān)于此放電模型的工業(yè)用測(cè)試機(jī)臺(tái)有分為轉(zhuǎn)接座式(socketed)與非轉(zhuǎn)接座式(non-socketed)兩種。目前socketed CDM測(cè)試方法尚無(wú)正式之標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范文件,而non-socketed CDM主要的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范有ESD STM5.3.1-1999EIA/JESD22-C101-A: 2000兩種[3], [4]

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