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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
ALD R-200原子層沉積系統(tǒng)：高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)的均勻性，包括挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。
詳細(xì)介紹
ALD R-200原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)品介紹：
PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)的均勻性，包括挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度小的薄膜層。在基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN™ R系列*的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過(guò)渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對(duì)大學(xué)來(lái)說(shuō),突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會(huì)吸引到企業(yè)投資。
ALD R-200原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：
襯底尺寸和類型 | 50 – 200 mm /單片 156 mm x 156 mm 太陽(yáng)能硅片 3D 復(fù)雜表面襯底 粉末與顆粒 多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 Roll-to-roll , 襯底大寬 70 mm |
工藝溫度 | 50 – 500 °C, 可選更高溫度 |
基片傳送選件 | 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載） 預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ） 半自動(dòng)裝載，用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn) 25片晶圓盒對(duì)盒式全自動(dòng)裝載（cassette-to-cassette），用PICOPLATFORM™200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn) |
前驅(qū)體 | 液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源、等離子體（多4路氣體） 6根獨(dú)立源管線，多加載12個(gè)前驅(qū)體源（加上Plasma管路，共7根獨(dú)立源管線） |
重量 | 350kg+ 200 kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取決于選件 小146 cm x 146 cm x 84 cm 大189 cm x 206 cm x 111 cm |
選件 | 集群工具，PICOFLOW™ 擴(kuò)散增強(qiáng)器，集成橢偏儀，QCM，RGA，超高真空兼容，N2發(fā)生器，尾 氣處理器，定制設(shè)計(jì)，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載） |
驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) | 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6“和8"）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。
材料 | 非均勻性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13 % |
SiO2 (batch) | 0.77 % |
TiO2 | 0.28 % |
HfO2 | 0.47 % |
ZnO | 0.94 % |
Ta2O5 | 1.0 % |
TiN | 1.10 % |
CeO2 | 1.52 % |
Pt | 3.41 % |