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PT124G-3510系列單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口*進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內(nèi)嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負(fù)壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過集成電路監(jiān)測該位移變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個相應(yīng)壓力差的的標(biāo)準(zhǔn)測量信號。傳感器具有超高過壓性能及良好的溫度補償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應(yīng)性，可廣泛用于各類工控環(huán)境。
單晶硅差壓傳感器優(yōu)勢：
a.采用進(jìn)口FST單晶硅MEMS芯片進(jìn)行封裝，產(chǎn)品具有超高精度，zui高可達(dá)0.04%FS；
b.具有優(yōu)異的過壓性能；
c.可用于負(fù)壓力測量；
d.智能靜壓補償和溫度補償，環(huán)境適應(yīng)性強；
應(yīng)用：石油、化工、電力、造紙、鋼鐵、煤氣等
技術(shù)參數(shù)：
量程 | 3KPa、6KPa、10KPa、40KPa、150KPa、250KPa、3MPa |
額定工作壓力 | 2.5MPa、16MP、25MPa、40MPa |
過載 | 150%F.S |
供電電壓 | 5V |
信號輸出 | 40-200mV |
工作溫度 | -50~85℃ |
介質(zhì)溫度 | -50-125℃ |
非線性 | ≤0.1%F.S |
長期穩(wěn)定性 | ≤0.05%F.S/年 |
溫度影響 | ≤0.3%F.S/年 |
靜壓特性 | ≤±0.1%F.S/10MPa |
長期漂移 | ≤0.05%F.S/年 |
本體材質(zhì) | 316 |
膜片材質(zhì) | 316L、哈氏合金、鉭、鍍金等 |
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