巴魯夫數(shù)據(jù)載碼體模塊現(xiàn)貨BIS0011

巴魯夫數(shù)據(jù)載碼體模塊現(xiàn)貨BIS0011

BIS M使用高頻 (HF) 13.56 MHz，支持DIN ISO 15693和14443標準。讀/寫磁頭是數(shù)據(jù)載體和分析單元之間的連接紐帶。BIS M讀/寫磁頭提供的數(shù)據(jù)安全性。它們有不同的結構形式、尺寸 – 例如圓形/棒形天線，所以能滿足各種各樣的任務要求。

接口

• 多種測量模式（黑暗測量、多重測量、透明模式）

• 帶計數(shù)和時間功能的運行小時計數(shù)器

• 統(tǒng)計記錄

• 精確的 1 類激光（無需額外的防護措施）

• 高分辨率 (10...100 μm)

• 金屬外殼，玻璃光學組件

• 重置輸入

• 便于操作的圖形顯示器

• 切換輸出端A1作為模擬輸出端可切換(0...10 V/4...20 mA)

• 可消除的溫度偏差

• 設有 2 個彼此獨立的切換輸出端

BALLUFF的IO-link工業(yè)網(wǎng)絡產(chǎn)品與RFID（BIS V系列處理器、讀寫頭）的結合運用， 具有分布性強、防護等級高、易于安裝維護、性能穩(wěn)定等特點。廣泛應用于汽車零部件行業(yè)的全自動裝配線，全自動測試線。大大節(jié)約了現(xiàn)場硬件投資成本，并減少設備的停機維護時間，提高客戶的生產(chǎn)效率。

【蘭斯特保證產(chǎn)品*，假一罰十！】

2、BALLUFF BISV系列RFID應用

安裝數(shù)量可觀的讀寫頭，確認每個托盤上的工件信息，對產(chǎn)品進行測試、分類、 召回、返工及報廢。由于生產(chǎn)節(jié)拍快，讀寫的時間非常有限，因此用戶對動態(tài)讀寫速度有很高要求。BIS V的無線追溯方案可以實現(xiàn)高速的動態(tài)讀寫功能，充分滿足高速生產(chǎn)節(jié)拍的要求。同時BIS V處理器可連接4個RFID讀寫頭，是常規(guī)處理器的兩倍，為客戶節(jié)約了硬件成本。

3、BALLUFF工業(yè)網(wǎng)絡產(chǎn)品應用

每個裝配汽車座椅的工位安裝了眾多巴魯夫接近開關、氣缸磁敏開關和光電開關，它們可精確完成裝配線上鉚接、涂膠、點焊等裝配動作，減少差錯率，提高產(chǎn)能，優(yōu)化制造商的裝配線流程。除此之外，巴魯夫工業(yè)網(wǎng)絡與連接的主站模塊和IO-link子站，可用于連接傳感器各個開關點，提供DI、DO及模擬量輸出， 方便客戶設計、布線、安裝和維護。

1、渦流式接近開關

　　這種開關有時也叫電感式接近開關。它是利用導電物體在接近這個能產(chǎn)生電磁場接近開關時，使物體內部產(chǎn)生渦流。這個渦流反作用到接近開關，使開關內部電路參數(shù)發(fā)生變化，由此識別出有無導電物體移近，進而控制開關的通或斷。這種接近開關所能檢測的物體必須是導電體。

2、電容式接近開關

　　這種開關的測量通常是構成電容器的一個極板，而另一個極板是開關的外殼。這個外殼在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向接近開關時，不論它是否為導體，由于它的接近，總要使電容的介電常數(shù)發(fā)生變化，從而使電容量發(fā)生變化，使得和測量頭相連的電路狀態(tài)也隨之發(fā)生變化，由此便可控制開關的接通或斷開。這種接近開關檢測的對象，不限于導體，可以絕緣的液體或粉狀物等。

位移傳感器的工作原理：

　　電位器式位移傳感器，它通過電位器元件將機械位移轉換成與之成線性或任意函數(shù)關系的電阻或電壓輸出。普通直線電位器和圓形電位器都可分別用作直線位移和角位移傳感器。但是，為實現(xiàn)測量位移目的而設計的電位器，要求在位移變化和電阻變化之間有一個確定關系。電位器式位移傳感器的可動電刷與被測物體相連。

BIS V-6108-048-C002  

BIS M-371-000-A01

BIS M-135-03/L

BCC M415-M414-3A-305-PS0434-100

BCC A335-0000-10-000-61X5A5-000

BCC M474-0000-2D-000-51X475-000

BES 516-325-SA19-03

BES 516-371-G-E4-C-02

BIS M-626-069-A01-06-ST32

BIS M-135-03/L-HT

BIS M-870-1-008-X-001

BIS  C-61R-001-08P-PU-05

BSI R11A0-XB-CXS045-S75G

BTL5-P-5500-2

BTL5-E10-M0150-P-S32

BTL7-S562-M0305-P-S32

BTL6-E500-M0450-PF-S115

BTL5-T110-M0175-P-S103

BTL7-E501-M0300-P-S32

BTL7-S575B-M1700-P-S32

BTL5-A11-M0407-P-S32

BTL7-G110-M0050-B-KA05

BTL7-S572-M0650-P-S32

BTL6-A110-M0250-A1-S115

BTL7-E500-M0225-K-SR32

BTL7-E500-M0425-K-SR32

BES 516-325-G-E5-C-S4

BES M12MI-PSH80B-S04G

BES M12MI-PSC20B-BV03

BIS V-6111-073-C003

其精細、清晰的激光束可讓您精確地探測到哪怕是小的物體。由于模擬量輸出曲線可根據(jù)您的應用進行調整，因此您還可以單獨設置傳感器的測量范圍。該傳感器還具有開關量輸出端，可將其用作限位開關。例如，可以對其進行設置，讓傳感器在沒有補給時進行切換。且傳感器的設置很簡單。開關點和輸出曲線都可使用簡單的按鍵來示教?？墒褂冒惭b支架或燕尾夾進行快速安裝，從而加快調試速度。

根據(jù)電屬性狀態(tài)的不同變化，將光電效應分為以下三種：

1）外光電效應

在光線作用下使電子逸出物體表面的現(xiàn)象稱為外光電效應。基于外光電效應的光電元件有光電管，光電倍增管等。

2）光電島效應

有光電管，光電倍增管等。

半導體內的電子吸收光子后不能躍出半導體，使物體的電導率發(fā)生變化，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象稱為內光電效應。內光電效應按其工作原理可分為光電導效應和光生伏*應?；诠怆妼墓怆娫泄饷綦娮瑁饷艟w管等。

3）光生伏*應

在光線作用下，物體產(chǎn)生一定方向電動勢的現(xiàn)象稱為光生伏*應?；诠馍?應的光電元件有光電池和光敏二極管、三極管等。

以光電管為例，當入射光照射在陰極上時，單個光子把它的全部能量傳遞給陰極材料中的一個自由電子，從而使自由電子的能量增加。當電子獲得的能量大于陰極材料的逸出功時，它就可以克服金屬表面束縛而逸出，形成電子發(fā)射，這種電子稱為光電子。只有當入射光的頻率高于極限頻率時，才會產(chǎn)生光電子。