美國(guó)OptoDiode的分段光電二極管是電子檢測(cè)的選擇,分段光電二極管光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm,存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,在氮?dú)饣蛘婵帐?20°C至80°C,引線焊接溫度是260°C。
美國(guó)OptoDiode的分段光電二極管
響應(yīng)性好,噪音低,OptoDiode分段光電二極管
美國(guó)OptoDiode分段光電二極管有紅色增強(qiáng)型和紫外線增強(qiáng)型分段探測(cè)器,AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測(cè)器存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C,在氮?dú)饣蛘婵帐?span style="margin: 0px; padding: 0px;">-20°C至80°C,引線焊接溫度是260°C。超過(guò)這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。隨著時(shí)間的推移,對(duì)低能量輻射和波長(zhǎng)低于150納米的輻射的反應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080",持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子,以保護(hù)光電二極管和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前,請(qǐng)查看OptoDiode,"IRD檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。美國(guó)OptoDiode分段探測(cè)器光子響應(yīng)性好,噪音低,是電子檢測(cè)的理想選擇。
ODD-3W-2分段光電二極管的特點(diǎn)
- 紅色增強(qiáng)型
- 低噪音
- 高響應(yīng)
- 高分流電阻
- 扁平的TO-5封裝
在VR=5 V測(cè)試條件下,暗電流典型值是0.9na,最大值是5na。VR=10 mV, 分流電阻的典型值是300歐姆。當(dāng)VR=0 V, f=1MHz,結(jié)點(diǎn)電阻是30pF,當(dāng)VR=10 V, f=1MHz時(shí)結(jié)點(diǎn)電阻是7.5pF。光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm。當(dāng)λ=633nm, VR=0V時(shí),反應(yīng)性最小值是0.32A/W,典型值是0.36A/W,當(dāng)λ=900nm, VR=0V時(shí),反應(yīng)性最小值是0.5A/W,典型值是0.6A/W。當(dāng)IR=10μA,擊穿電壓最小值是25V,典型值是60V。當(dāng)VR=0V, λ=950nm時(shí),噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當(dāng)RL=50Ω, VR=0V,上升時(shí)間典型值為190納秒,當(dāng)RL=50Ω, VR=10V,上升時(shí)間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。
存儲(chǔ)溫度為-55°C~150°C,工作溫度為-40°C~125°C,引線焊接溫度是260°C。
SXUVPS4分段二極管的特點(diǎn)
- 圓形有效區(qū)域(4個(gè)象限)
- TO-5,5引腳封裝
在R.049(1.25mm)測(cè)試條件下,SXUVPS4分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2。當(dāng)VR為±10mV時(shí),分流電阻最小值為100歐姆,當(dāng)IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V時(shí),電容的最大值是500pF。當(dāng)VR=0V, RL=500Ω,上升時(shí)間最大值是1微秒。存儲(chǔ)和工作溫度與AXUVPS7分段光電二極管相同。
SXUVPS4C分段光電二極管
TO-5,5引腳封裝,SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2,在波長(zhǎng)254nm時(shí),響應(yīng)性是0.02A/W。VR=±18V,暗電流典型值是1nA,最大值是100nA。當(dāng)R=1µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V,電容典型值是100pF,最大值是300Pf。VR=0V時(shí),上升時(shí)間典型值是1微秒。Vf=±10mV時(shí)分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關(guān)系,暗電流與電壓是正比的關(guān)系。
AXUVPS7分段光電二極管的特點(diǎn)
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 圓形有效區(qū)域
AXUVPS7分段光電二極管在25°C時(shí)的電光特性,有效面積的典型值是36.5mm2。響應(yīng)性的最小值是0.07A/W,典型值是0.08A/W,最大值是0.09A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí),分流電阻最小值為10歐姆,當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí),反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時(shí),電容的典型值是2nF,最大值是6nf。當(dāng)VR=2V, RL=50Ω,上升時(shí)間最大值是2微秒。
美國(guó)OptoDiode的分段光電二極管