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機(jī)械剝離單層二硒化鉬薄膜
Monolayer molybdenum diselenide (1H-MoSe?) flakes have been exfoliated from bulk...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6371.3更新時(shí)間：2024/6/3 18:46:04 對(duì)比

二硒化鉬薄膜
機(jī)械剝離單層二硒化錸薄膜
Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? crystal...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6481.15更新時(shí)間：2024/6/3 18:44:22 對(duì)比

單層二硒化錸薄膜
機(jī)械剝離單層二硫化鎢薄膜
Monolayer tungsten disulfide (1H-WS?) flakes have been exfoliated from bulk tung...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6371.3更新時(shí)間：2024/6/3 18:42:27 對(duì)比

單層二硫化鎢薄膜
機(jī)械剝離單層二硒化鎢薄膜
Monolayer tungsten diselenide (1H-WSe?) flakes have been exfoliated from bulk tu...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6371.3更新時(shí)間：2024/6/3 18:40:14 對(duì)比

單層二硒化鎢薄膜
CVD轉(zhuǎn)移生長(zhǎng)MX2單分子膜
Substrate:Sapphire (c-cut)Quartz (Silica)TEM grids (please supply grids)Thermal ...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7579.65更新時(shí)間：2024/6/3 18:38:27 對(duì)比

轉(zhuǎn)移生長(zhǎng)MX2單分子膜
CVD缺陷生長(zhǎng)二維層
Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to ...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥8900更新時(shí)間：2024/6/3 18:36:07 對(duì)比

CVD
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜將兩層單層CVD石墨烯膜轉(zhuǎn)移到285nm p摻雜的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片將每個(gè)石墨烯...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥7140.25更新時(shí)間：2024/6/3 18:33:58 對(duì)比

CVD石墨烯薄膜8片狀
德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離2L/3L材料
德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料，可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù)，如二氧化硅，藍(lán)寶石，CVD金剛石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥13520更新時(shí)間：2024/6/3 18:32:16 對(duì)比

100*100um
CVD GaSe
Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilitie...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥6481.15更新時(shí)間：2024/6/3 18:30:19 對(duì)比

高純 ZrS2粉末
超高純 ZrS2粉末（1g）
超高純 ZrS2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:28:18 對(duì)比

超高純 ZrS2粉末
高純 ZrSe2粉末（1g）
高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:26:20 對(duì)比

高純 ZrSe2粉末
超高純 ZrSe2粉末（1g）
超高純 ZrSe2粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:24:16 對(duì)比

超高純 ZrSe2粉末
高純 ZrTe3粉末（1g）
高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:21:53 對(duì)比

高純 ZrTe3粉末
超高純 ZrTe3粉末（1g）
超高純 ZrTe3粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:20:04 對(duì)比

超高純 ZrTe3粉末
高純BiTe粉末（1g）
高純BiTe粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料低維材料在線提供眾多超高純...

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:18:04 對(duì)比

高純BiTe粉末
超高純BiTe粉末（1g）
超高純BiTe粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:15:36 對(duì)比

超高純BiTe粉末
高純Ta2NiSe5粉末（1g）
高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:13:51 對(duì)比

高純Ta2NiSe5粉末
超高純Ta2NiSe5粉末（1g）
超高純Ta2NiSe5粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:11:53 對(duì)比

超高純Ta2NiSe5粉末
高純Sb2Te3粉末（1g）
高純Sb2Te3粉末（1g）純度：99.9995%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥1000更新時(shí)間：2024/6/3 18:10:17 對(duì)比

高純Sb2Te3粉末
超高純Sb2Te3 粉末（1g）
超高純Sb2Te3 粉末（1g）純度：99.9999%重量：1g制備方法：使用再提純后的超高純單質(zhì)高真空密封燒結(jié)用途：用于生長(zhǎng)制備二維晶體材料

型號(hào)：所在地：泰州市參考價(jià)： ￥2000更新時(shí)間：2024/6/3 18:08:16 對(duì)比

超高純Sb2Te3 粉末超高純

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