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國(guó)越貿(mào)易（上海）有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： P F開(kāi)關(guān),SAMSON執(zhí)行器,GEFRAN傳感器,IFM開(kāi)關(guān),ATOS電磁閥 |
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- 更新時(shí)間：
- 2024-10-29 21:00:08
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- 2024年10月29日--2025年4月29日
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美國(guó)AI-TEK被動(dòng)磁敏傳感器總總經(jīng)銷(xiāo)
美國(guó)AI-TEK被動(dòng)磁敏傳感器70085-1010-002通用電磁速度傳感器尺寸的700085-1010-001速度傳感器具有較高的靈敏度是相似的。一個(gè)傳感器間隙在0.030“和300 /秒的表面速度，輸出電壓為10 V的頁(yè)
所有該磁性速度傳感器是專為滿足重型工業(yè)，汽車(chē)和航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用。按零件號(hào)來(lái)指示我們的在線目錄和更多的產(chǎn)品信息和訂購(gòu)。
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美國(guó)AI-TEK被動(dòng)磁敏傳感器
1. 集成電路技術(shù)的應(yīng)用. 將硅集成電路技術(shù)應(yīng)用于磁敏傳感器, 制成集成磁敏傳感器.
2.InSb 薄膜技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功,使得霍爾器件產(chǎn)能劇增,成本大幅度下降.
3.強(qiáng)磁體合金薄膜得到廣泛應(yīng)用.各種磁阻器件出現(xiàn),應(yīng)用領(lǐng)域廣泛.
4.巨磁電阻多層薄膜的研究與開(kāi)發(fā).新器件的高靈敏度,高穩(wěn)定性,引起研制高密度 記錄磁盤(pán)讀出頭的科技人員的極大關(guān)注.
5.非晶合金材料的應(yīng)用.與基礎(chǔ)器件配套應(yīng)用,大大改善了磁傳感器性能.
6.Ⅲ—V 族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用.通過(guò)外延技術(shù),形成異質(zhì)結(jié)構(gòu),提高 磁敏器件的性能.
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美國(guó)AI-TEK被動(dòng)磁敏傳感器是傳感器產(chǎn)品的一個(gè)重要組成部分, 隨著我國(guó)磁敏傳感器技術(shù)的發(fā)展, 其產(chǎn)品 種類(lèi)和質(zhì)量將會(huì)得到進(jìn)一步發(fā)展和提高, 進(jìn)軍汽車(chē), 民用儀表等這些量大面廣的應(yīng)用領(lǐng)域即 將實(shí)現(xiàn).國(guó)產(chǎn)的電流傳感器,高斯計(jì)等產(chǎn)品日前已經(jīng)開(kāi)始走入市場(chǎng),與國(guó)外產(chǎn)品的差距 正在快速縮小。
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