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氫氣作反應(yīng)氣︱用于半導(dǎo)體行業(yè)的ICP-MS分析

閱讀:762      發(fā)布時(shí)間:2022-1-21
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ICP-MS在半導(dǎo)體業(yè)的應(yīng)用


在半導(dǎo)體行業(yè)中,每個(gè)工藝流程中引入的雜質(zhì)污染,都有可能造成半導(dǎo)體器件缺陷。


半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過程中會用到多種化學(xué)品,例如過氧化氫(H2O2)、鹽酸(HCl)、硫酸(H2SO4)等,進(jìn)行清洗和蝕刻。


過氧化氫

作為強(qiáng)氧化劑,可用于清洗硅片、去除光刻

硝酸和氫氟酸混合物
混合物用于蝕刻單晶硅和多晶硅
硫酸與過氧化氫的混合物
可用于晶圓加工過程的清洗
鹽酸
用于去除硅片表面的有機(jī)和金屬殘留等雜質(zhì)

隨著半導(dǎo)體器件性能的持續(xù)提高,對雜質(zhì)的控制要求也更加嚴(yán)格,所用化學(xué)品中的量的雜質(zhì)會影響最終產(chǎn)品的性能和產(chǎn)量。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會 (SEMI) 發(fā)布了有關(guān)高純試劑性能指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn), 規(guī)定絕大多數(shù)雜質(zhì)元素的含量不超過 10 ppt。



所以,制造半導(dǎo)體器件時(shí),需要對清洗和蝕刻硅片過程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物進(jìn)行常規(guī)監(jiān)測,必須盡可能地將痕量污染控制在zuidi濃度,ICP-MS 就是普遍采用的一種監(jiān)測工具。


pcb-ga84e1f7d2_1920.jpg


而測試過程中的等離子體、溶劑和基質(zhì)的多原子離子的干擾會導(dǎo)致背景信號升高、質(zhì)譜重疊,一些質(zhì)量較輕的元素處于痕量水平時(shí)難以被測量到,使分析測定困難。


利用低溫等離子體和碰撞/反應(yīng)池等方法可以解決這一背景干擾的問題。


針對ICP-MS開發(fā)的碰撞/反應(yīng)池,能夠通過化學(xué)反應(yīng)去除特定干擾,使一些分析難題得以解決。



在反應(yīng)池中,氫氣 (H2 ) 氧氣 (O2 )常被用作反應(yīng)氣。

分析物或干擾物在反應(yīng)池中與某一反應(yīng)氣發(fā)生反應(yīng),生成一個(gè)新質(zhì)量數(shù)的產(chǎn)物離子,通過這種質(zhì)量轉(zhuǎn)移或者原位質(zhì)量的方法,避開原質(zhì)量數(shù)的干擾。


例如

1

在H2原位質(zhì)量模式下測定硅:

在 m/z 28 處對主要的 Si 同位素產(chǎn)生干擾的14N2 + 和 12C16O+ 容易與 H2進(jìn)行反應(yīng),但 Si+ 卻不與 H2進(jìn)行反應(yīng)。于是,N2+ 和 CO+ 干擾通過反應(yīng)被去除,而 28Si+ 能不受干擾地以原位質(zhì)量進(jìn)行測定:


測定硅.png

2

在H2質(zhì)量轉(zhuǎn)移模式下測定氯 Cl:


16O18O1H+在 m/z 35 處對主要 Cl 同位素產(chǎn)生多原子干擾。這種 O2H+ 重疊的干擾可以通過測量 Cl 加氫反應(yīng)的產(chǎn)物離子 ClH2來有效去除。如下圖所示,Cl 與 H2反應(yīng)氣進(jìn)行連續(xù)反應(yīng)后生成產(chǎn)物離子:

測定氯.png


氫氣發(fā)生器——反應(yīng)池的氣體供應(yīng)


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安捷倫上海實(shí)驗(yàn)室
8900 ICP-MS Triple Quad 和Peak Precision Trace氫氣發(fā)生器



在安捷倫上海實(shí)驗(yàn)室,有一臺Peak的Precision Trace氫氣發(fā)生器為8900 ICP-MS Triple Quad的反應(yīng)池提供滿足要求的氫氣,目前在實(shí)驗(yàn)室已連續(xù)工作多年,且一直狀態(tài)良好。


Peak Precision Trace氫氣發(fā)生器體積小巧緊湊,可節(jié)省寶貴的實(shí)驗(yàn)室空間,外觀采用高顏值 “極簡風(fēng)" 設(shè)計(jì),綠色主題色與Peak品牌重視并一直秉承的環(huán)保理念呼應(yīng),為實(shí)驗(yàn)室提供可靠氫氣來源的同時(shí)減少碳排放。


微信截圖_20220112143918.png

畢克氣體Precision系列氫氣發(fā)生器專為實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用而設(shè)計(jì),將便捷性和可靠性融入可堆疊、模塊化及小巧化的設(shè)計(jì)之中。根據(jù)客戶的用氣需求,通過電解水現(xiàn)場生產(chǎn)氫氣,提供純度高達(dá)99.9999%,流量100-1200cc/min的氫氣。


Precision Trace系列氫氣發(fā)生器采用PSA等技術(shù)有效去除水分,保證了氫氣的純度與品質(zhì)。相比于鋼瓶,氣體發(fā)生器是更安全、可靠而且方便的供氣方案。


使用氣體發(fā)生器的安全性與方便性

與傳統(tǒng)的鋼瓶相比,使用氣體發(fā)生器供應(yīng)氫氣有其不容忽視的優(yōu)勢。


氫氣發(fā)生器現(xiàn)場生產(chǎn)氫氣,根據(jù)客戶需求,即開即用,大大減少了等待鋼瓶安裝或定期更換鋼瓶造成的人力、時(shí)間成本。


鋼瓶中儲存大量的高壓氣體,如果迅速釋放到實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中,會造成安全隱患。尤其是使用氫氣鋼瓶時(shí),還存在額外的爆炸風(fēng)險(xiǎn)。一旦空氣中的氫氣的含量達(dá)到4.1%(按體積濃度計(jì)),會達(dá)到氫氣的爆炸下限,而引發(fā)危險(xiǎn)。


氫氣發(fā)生器可提供一種安全的替代方案,無需大量儲存高壓氣體就可產(chǎn)生足夠的氫氣來供應(yīng)多種應(yīng)用。


除此之外,在氫氣安全上,發(fā)生器內(nèi)部有檢漏、壓力異常報(bào)警功能,還可安裝氫氣探測器(可選)。因此,如果發(fā)生氫氣泄漏,整個(gè)系統(tǒng)會自動停止,以確保安全。



內(nèi)容參考:
Agilent ICP-MS 的應(yīng)用文集:測量半導(dǎo)體制造中的無機(jī)雜質(zhì)
Agilent 應(yīng)用簡報(bào):利用 7700s/7900 ICP-MS 直接分析高純度鹽酸中的痕量金屬雜質(zhì)
Agilent 應(yīng)用簡報(bào):使用 ICP-MS/MS 直接分析高純硝酸中的痕量金屬雜質(zhì)
Agilent 應(yīng)用簡報(bào):利用 7700s/7900 ICP-MS 直接測量 20% 氫氧化銨中的金屬雜質(zhì)




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