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高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) GDAT-A
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市

更新時(shí)間:2024-08-14 16:07:07瀏覽次數(shù):1456

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測(cè)試。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求

高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)適用范圍:

能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù))的測(cè)試。

它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
本測(cè)試裝置是由測(cè)微平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣,由平板電容器的刻度讀數(shù)變化,通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 

 

 

 

  • 高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)試驗(yàn)機(jī)概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,

還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),

通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),

可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);

儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。

它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,

標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),

改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低,

并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。

儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,

電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,

電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。儀器遵從標(biāo)準(zhǔn):GB/T5594.4-1985。

 

 

 

 

  • 儀器的技術(shù)指標(biāo)

1.Q值測(cè)量

a.Q值測(cè)量范圍:5~999。

b.Q值量程分檔:30、100、300、999、自動(dòng)換檔。

c.標(biāo)稱誤差

      頻率范圍:25kHz~10MHz;

      固有誤差:≤5%±滿度值的2%;工作誤差:≤7%±滿度值的2%;

      頻率范圍:10MHz~50MHz;

      固有誤差:≤7%±滿度值的2%;工作誤差:≤10%±滿度值的2%。

2.電感測(cè)量

a.測(cè)量范圍:0.1μH~1H。

b.分    檔:分七個(gè)量程。

      0.1~1μH,    1~10μH,    10~100μH,

      0.1~lmH,     1~10mH,     10~100mH,   100 mH~1H。

3.電容測(cè)量

a.測(cè)量范圍:1~460pF(460pF以上的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則);

b.電容量調(diào)節(jié)范圍

      主調(diào)電容器:40~500pF;

      準(zhǔn)  確  度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;

      微調(diào)電容量:-3pF~0~+3pF;

      準(zhǔn)  確  度:±0.2pF。

4.振蕩頻率

a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;

b.頻率分檔:

25~74kHz,    74~213kHz,    213-700kHz,    700kHz~1.95MHz,

1.95MHz~5.2MHz,    5.2MHz~17MHz,    17~50MHz。

c.頻率誤差:2×10-4±1個(gè)字。

5.Q合格指示預(yù)置功能,預(yù)置范圍:5~999。

6.儀器正常工作條件

a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

b.相對(duì)濕度:<80%;

c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。  

7.試樣尺寸

圓片形:厚度2+0.5mm,直徑為Φ30~40mm(ε<12時(shí)),Φ25~35mm(ε=12~30時(shí)),Φ15~20mm(ε>30時(shí))

8.其他

a.消耗功率:約25W;

b.凈重:約7kg;

c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。

 

 

 

 

實(shí)驗(yàn)步驟:

1.本儀器適用于110V/220V , 50Hz+0.5Hz交流電,使用前要檢查市電電壓是否合適,采用穩(wěn)壓電源,以保證測(cè)試條件的穩(wěn)定。

2.開(kāi)機(jī)預(yù)熱15分鐘,使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開(kāi)始測(cè)試。

3.按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的陶瓷試樣,兩面用燒滲法被上銀層,并分別焊上一根Φ0.8mm,30~40mm長(zhǎng)的金屬引線。引線材料為銅,表面鍍銀并浸錫。

4.選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率,調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振。假定諧振時(shí)電容為C1,品質(zhì)因素為Q1。

5. 將被測(cè)樣品接在“CX”接線柱上。

6.再調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振,這時(shí)電容為C2,可以直接讀出Q2,并且Q2= Q1-△Q,。

7.用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測(cè)得兩個(gè)數(shù)據(jù),再取其平均值)。

8.方形式樣按其邊長(zhǎng)的4倍計(jì)算Φ值

 

 

 

實(shí)驗(yàn)結(jié)果:

1.tanδ和ε測(cè)定記錄

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)按表1要求填寫。

表1                  tanδ和ε測(cè)定記錄表

試樣名稱

 

測(cè)定人

 

測(cè)定時(shí)間

 

試樣處理

 

編號(hào)

C1

C2

C

d

ψ

δ

Q1

△Q

Q2

tanδ

QX

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.計(jì)算

1)介電常數(shù)ε

 

式中:C---試樣的電容量(PF), C= C1-C2

d---試樣厚度(cm);

Φ—試樣直徑(cm)。

 

2)介質(zhì)損耗角正切tanδ

             

3) Q值

 

            

 

 

注意事項(xiàng)

1.圓片形試樣的尺寸(Φ=38mm+1mm,d=2mm+0.5mm)要符合公差要求,兩面燒滲銀層、浸錫及焊接引出線要符合技術(shù)條件。

2.電壓或頻率的劇烈波動(dòng)常使電橋不能達(dá)到良好的平衡,所以測(cè)定時(shí),電壓和頻率要求穩(wěn)定,電壓變動(dòng)不得大于1%,頻率變動(dòng)不得大于0.5%。

3.電極與試樣的接觸情況,對(duì)tanδ的測(cè)試結(jié)果有很大影響,因此燒滲銀層電極要求接觸良好、均勻,而厚度合適。

4.試樣吸濕后,測(cè)得的tanδ值增大,影響測(cè)量精度,應(yīng)嚴(yán)格避免試樣吸潮。

5.在測(cè)量過(guò)程中,注意隨時(shí)檢查電橋本體屏蔽的情況,當(dāng)電橋真正達(dá)到平衡,“本體-屏蔽”開(kāi)關(guān)置于任何一邊時(shí),檢查計(jì)光帶均應(yīng)zui小,而無(wú)大變化。


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