A 類介電常數(shù)介質損耗測試儀

介電常數(shù)介質損耗試驗儀

介電常數(shù)介質損耗試驗儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內）下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法
     GDAT-A       
介電常數(shù)介質損耗試驗儀的詳細資料：

介電常數(shù)介質損耗試驗儀的技術指標
  1．Q值測量
   a．Q值測量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
 c．標稱誤差
項    目
GDAT-A
頻率范圍  20kHz～10MHz；                 固有誤差   ≤5％±滿度值的2％；
工作誤差  ≤7％±滿度值的2％；            頻率范圍           10MHz～60MHz；
固有誤差  ≤6％±滿度值的2％；            工作誤差 ≤8％±滿度值的2％。

2．電感測量范圍： 14.5nH~8.14H
 
3．介電常數(shù)介質損耗試驗儀電容測量：1~ 460
項    目    GDAT-A
直接測量范圍 ：1～460pF
主電容調節(jié)范圍準確度：30～500pF；150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％

   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍
項     目
10kHz～50MHz
頻率分段（虛擬）
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz     
頻率指示誤差    3×10-5±1個字
 5．Q合格指示預置功能  預置范圍：5～1000。

介電常數(shù)介質損耗試驗儀概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數(shù)值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。
介電常數(shù)介質損耗試驗儀用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。

以下對比同種儀器 c 類

  主要技術特性  
Q 值測量范圍  2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔  
固有誤差  ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作誤差  ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）  
電感測量范圍  4.5nH ～ 140mH  
電容直接測量范圍  1 ～ 200pF  
主電容調節(jié)范圍  18 ～ 220pF  
主電容調節(jié)準確度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ～ 160MHz  
頻率分段 （ 虛擬 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

搭配了全新的介質損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用
一 . 概述

BD916介質損耗測試裝置與本公司生產的各款高頻Q表配套，可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質損耗系數(shù)（損耗角正切值）。
BD916介質損耗測試裝置是BD916914的換代產品，它采用了數(shù)顯微測量裝置，因而讀數(shù)方便，數(shù)據(jù)精確。
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品，微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。
BD916介質損耗測試裝置須配用Q表作為調諧指示儀器，通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化，測得絕緣材料的損耗角正切值。
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。 

電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH