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介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀
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更新時(shí)間：2024-08-11 21:04:57瀏覽次數(shù)：1866
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀電感：
| 線圈號(hào) | 測(cè)試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
| 9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
| 8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
| 7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
| 6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
| 5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
| 4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
| 3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
| 2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
| 1 | 25MHz， 50MHz | 233，211 | 0.9 | 0.125μH |
介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀/介電常數(shù)測(cè)試儀 滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、 概述
GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。
主要技術(shù)特性
Q 值測(cè)量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測(cè)量范圍 4.5nH ～ 140mH
電容直接測(cè)量范圍 1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度 100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％
信號(hào)源頻率覆蓋范圍 100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ） 100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個(gè)字
搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用。
BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性
平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz）
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
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GDAT-A介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)測(cè)試儀
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BDH-B耐電弧試驗(yàn)儀
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