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介電常數(shù)測(cè)定儀
詳細(xì)摘要:介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的
物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗
和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,
并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
出售介電常數(shù)測(cè)量?jī)x
詳細(xì)摘要:我公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀,如需請(qǐng)致電詳談。
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
介電常數(shù)試驗(yàn)儀
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在
內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:我公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀,如需請(qǐng)致電詳談。
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-C所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
BDAT-a低頻介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:我公司生產(chǎn)、銷(xiāo)售介電常數(shù)測(cè)試儀。如有需要請(qǐng)致電詳談。
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
介電常數(shù)測(cè)試儀 工廠
詳細(xì)摘要:我公司生產(chǎn)高頻、低頻、液體、固體介電常數(shù)測(cè)試儀,符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。頻率范圍在:20KHz-60MHz/200KHz-160MHz。*,如需請(qǐng)致電詳談。
產(chǎn)品型號(hào):所在地:北京市海淀區(qū) 參考價(jià):面議
北京介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
介電常數(shù)測(cè)試儀 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-c所在地:北京 參考價(jià):面議
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):GDAT-C所在地:報(bào)價(jià) 參考價(jià):面議
介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
諧振法介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
介電常數(shù)介質(zhì)損耗介質(zhì)損耗測(cè)試儀 高精度操作方便
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀(高精度)
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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介電常數(shù)測(cè)試儀*(精度高)
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
高精度介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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介電常數(shù)試驗(yàn)儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
產(chǎn)品型號(hào):gdat-a所在地:北京 參考價(jià):面議
介質(zhì)損耗介電常數(shù)測(cè)試儀
詳細(xì)摘要:介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
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