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TG-GP1X周波控制器

特點(diǎn)：

1、控制可控硅的導(dǎo)通周波，進(jìn)而控制可控硅在相對(duì)運(yùn)行周期內(nèi)的導(dǎo)通率。達(dá)到連續(xù)調(diào)節(jié)可控硅負(fù)載功率之目的。

2、相對(duì)運(yùn)行周期為不大于1秒的變周期。在相同導(dǎo)通率的情況下，以較短相對(duì)運(yùn)行周期工作。控制分辨率達(dá)1％，控制溫度時(shí)，精度高、溫度波動(dòng)小。

3、手動(dòng)/自動(dòng)切換方便，“來(lái)電”或切換到“自動(dòng)”時(shí)有16秒鐘的軟過(guò)渡。手動(dòng)操作時(shí)，自成簡(jiǎn)單的開(kāi)環(huán)控溫系統(tǒng)。

4、光柱直觀顯示可控硅的負(fù)載實(shí)際功率百分比大小。

5、既有直接驅(qū)動(dòng)大電流可控硅（或可控硅組）的觸發(fā)輸出端，又有驅(qū)動(dòng)“過(guò)零觸發(fā)固態(tài)繼電器”（SSR）的輸出信號(hào)?？梢晫?shí)際情況選擇不同的觸發(fā)大電流可控硅（或可控硅組）的方式。

6、光柱閃爍提示部分異常情況及故障，方便報(bào)警及故障排除。

7、帶有保護(hù)用輸入端，以便在主電路可控硅出現(xiàn)溫度過(guò)高、過(guò)載等保護(hù)信號(hào)到來(lái)時(shí)，及時(shí)切斷控制器的輸出信號(hào)，阻止主電路大可控硅導(dǎo)通，同時(shí)光柱閃爍報(bào)警。

8、控制器均可觸發(fā)雙向可控硅或反并聯(lián)可控硅，對(duì)可控硅的觸發(fā)電流及電流、電壓上升率無(wú)需挑選。

9、“過(guò)零觸發(fā)”?？煽毓栎敵鐾暾恼也ɑ蛲暾恼野氩ǎ漭椛涓蓴_、傳導(dǎo)干擾及負(fù)載電流的瞬間浪涌都很小?？煽毓柽\(yùn)行時(shí)無(wú)噪聲，壽命長(zhǎng)。

10、三相電路各自單獨(dú)同步，各相可控硅都輸出完整的正弦波或完整的正弦半波。

11、有多種輸入信號(hào)形式選擇，有盤(pán)裝式、架裝式、單相、三相多種結(jié)構(gòu)的控制器供選用。

12、拔插式的接線端子，接線容易，拆換方便。

13、提供SSR模塊觸發(fā)信號(hào)輸出，以方便利用過(guò)零觸發(fā)模塊觸發(fā)三相電路主可控硅（模塊與主可控硅同置一處）。周波控制器與主可控硅相距較遠(yuǎn)的情況下，可節(jié)省線纜根數(shù)。

型號(hào)：

技術(shù)參數(shù)：

1、可控硅負(fù)載功率因數(shù)：COSФ=1（適用阻性負(fù)載）。

2、適用雙向可控硅范圍：5A～1000A。

3、適用反并聯(lián)可控硅范圍：5A～3000A。

4、zui大輸出觸發(fā)電流：1000mA。

5、SSR觸發(fā)脈沖寬度：10ms×N（N=0～100）。

6、調(diào)節(jié)功率分辨率：1﹪。

7、調(diào)節(jié)功率范圍：0﹪～100﹪。

8、運(yùn)行周期：≦1s。

9、軟過(guò)渡時(shí)間：16s。

10、輸入信號(hào)及輸入阻抗：（1）、DC4mA～20mA250Ω。

（2）、DC1V～5V10kΩ。

（3）、DC0mA～10mA1kΩ。

（4）、DC0V～10V10kΩ。

11、保護(hù)輸入（P+、P-）信號(hào)：高電平（11V～20V）運(yùn)行；低電平（0V～2V）關(guān)斷保護(hù)?；颍?ldquo;斷開(kāi)”時(shí)運(yùn)行；“短接“時(shí)關(guān)斷保護(hù)。

12、功耗：3VA。

13、使用環(huán)境溫度：-20℃～50℃。

14、體積：盤(pán)裝式96×96×110；架裝式115×90×72。

15、重量：0.5kg。

TG-GP1X周波控制器