磁阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào):YQDH4510 | 貨號(hào):ZH5419 |
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 本實(shí)驗(yàn)裝置使用砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度,研究銻化銦(InSb)磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小??捎^測(cè)半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律,及其作為磁測(cè)量不同應(yīng)用,具有研究性和相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)特點(diǎn),適合于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和綜合性物理實(shí)驗(yàn)。 主要參數(shù)及性能: 1、IM:勵(lì)磁電流,直流0~900mA連續(xù)可調(diào),3位半數(shù)顯; 2、Is:傳感器工作電流,直流0~1mA連續(xù)可調(diào),3位半數(shù)顯; 3、數(shù)字式磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁阻電壓測(cè)量: 磁場(chǎng)強(qiáng)度0~999mT,準(zhǔn)確率1%; 磁阻電壓0~2000mV,準(zhǔn)確率為0.5%。 |