| 發(fā)動機冷卻液腐蝕測定儀（玻璃器皿法） 型號：FCJH-139 | 貨號：ZH7768 |
| 一、產品簡介: 本儀器是根據石化標準SH/T 0085《發(fā)動機冷卻液腐蝕測定法（玻璃器皿法）》對儀器的要求設計制造的。規(guī)定了用玻璃器皿，在實驗室控制條件下測定發(fā)動機冷卻液對典型金屬試片腐蝕的方法。 該儀器由不銹鋼油浴、電加熱器、數(shù)字控溫儀、單片機336小計時報訊器、高型嘴燒杯、回流冷凝管、流量計、空氣泵及氣體擴散頭等組成。儀器結構和條件附合標準要求。 另外本儀器可根據用戶要求生產成3～6組型。 二、參數(shù) 輸入電源：220V±10% 50HZ 加熱功率：1500W 加熱介質：為稀甘油（丙三醇）或閃點高于100℃的加熱油 溫度控制：71、88℃ 控溫精度：±0.5℃ 試驗孔位：根據用戶要求而定 可安裝冷凝管數(shù)量：根據孔位而定 溫度傳感器：Pt100鉑熱電阻 計時范圍：336小時 環(huán)境溫度：5～35℃ 相對濕度：＜85%RH 三、安裝與使用 儀器開箱后，先經外觀檢查發(fā)現(xiàn)損后，再準備安裝與調試。安裝前，請仔細閱讀本安裝說明書。 1、把儀器安放平穩(wěn)，通過浴蓋上的孔位注入適量的導熱礦物油（約離槽頂50毫米）。 2、將電源線一端插到儀器后部插口上, 插頭插到室內電源插座上。（注意! 三芯電源插座的中間孔為接地線, 須接地, 以確保人身; 左孔“N”為零線, 右孔“L”為相線。） 3、撥動“電源”開關，開關指示燈亮，數(shù)顯表上排（PV）顯示油浴溫度,下排（SP）顯示設定溫度，加熱指示燈亮。按動“攪拌“開關，攪拌電機開始攪拌。按動“設置”鍵，再按動“遞增”或“遞減”鍵改變設定溫度，再按“設置”鍵存儲設定溫度，并顯示測量溫度。當溫度接近設定溫度時，加熱指示燈忽亮忽滅，溫度逐漸達到恒定。使油浴溫度恒定在±0.5℃范圍內。若所顯示的測量溫度與經計量檢定過的標準水銀溫度計所指示的值有偏差，可通過改變rt參數(shù)進行修正，使顯示溫度與水銀溫度計*。 4、儀器溫度恒定。即可按照 SH/T 0085方法標準規(guī)定的試驗步驟, 進行油樣的測定。 5、試驗開始時 ，撥動“計時”開關，計時器顯示0：00，此時開始計時，當計時到99.99小時，計時器單片機轉換為以每小時進1位數(shù)字，直至336小時報訊完畢。 以下特摘錄標準中的試驗步驟，以供參考： *清洗試驗所用的燒杯、橡膠塞、溫度計、氣體擴散管和回流冷凝管。 每個樣品需用三個高型燒杯，每個燒杯放置一套試片束，分別向每個燒杯倒入750ml試樣。按標準中的圖1所示裝配橡膠塞、溫度計、氣體擴散管和回流冷凝管，氣體擴散管的擴散頭要與試片束保持距離（約13mm），以避免通入的空氣直接與試片束接觸 。 將裝好的燒杯放到加熱器上，連接水路、電路和氣路。高沸點冷卻液和防銹劑在88±2℃，低沸點冷卻液在71±2℃，空氣流量為100±10ml/min條件下持續(xù)進行336±2h。試驗期間要經常檢查試驗情況，以確保試驗的溫度、空氣流量和液面高度試驗條件的要求，。如果燒杯中的試樣因蒸發(fā)而短缺應及時補充蒸餾水。 對于低沸點發(fā)動機冷卻液需附加一個如圖4所示的裝置，使燒杯中的氣體從回流冷凝管經過冷阱。冷阱應浸在有干冰的工業(yè)乙醇中，并始終保持在-45℃以下。為了保持燒杯中的液面高度，要及時將冷凝液分別倒回自的燒杯中。 試驗終了時，要立即卸開試片束，用軟毛刷和水輕輕地刷洗，以除去附著的疏松腐蝕物。當試片上有粘附力強的腐蝕物和膜時，則應分別再清凈處理，具體步驟請參照標準中的7.5節(jié)中的要求進行。 其它步驟請參照SH/T0085標準要求進行。 四、注意事項 1、該儀器應在通風干燥的地方，不允許在潮濕和有腐蝕性氣體的環(huán)境中存放，不可以受潮。 2、通電前浴內須加滿介質，以防燒壞加熱管。 儀器使用前須接好地線。 市電電壓不可忽高、忽低，否則將影響控溫精度。 加熱介質根據要求，如為蒸餾水時，因試驗時間太長，將會使水的存量大量減少，影響浴內的正常加熱。 該儀器由于需要連續(xù)工作336小時，需要有人值守，在試驗過程中，如果發(fā)生控溫不準、漏油或者電機不轉等現(xiàn)象，應及時停機進行處理。 五、故障分析與排除 本儀器在使用過程中若出現(xiàn)故障,應請有關人員檢修,切勿拆卸。 接通電源開關, 儀器若顯示, 屬電源故障, 應檢查電源是否有電,然后檢查保險絲是否燒斷,查明故障原因,換保險絲。（保險絲10A） 2、若加熱指示燈亮油浴不升溫, 應檢查加熱管是否燒毀, 若燒斷,應換新的（兩根1000W）。 3、若加熱指示燈不亮油浴連續(xù)升溫，不控溫,儀器一直處在超溫保護狀態(tài)，超溫指示燈亮，一般是雙向可控硅（BTA26.600B） 擊穿短路引起, 應換雙向可控硅。 |  |
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