| 單晶P/N型號測試儀型號：NXTM-2B | 貨號：ZH8857 |
| 產(chǎn)品簡介: 本儀器運用了第四代集成電路設計、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊以準確地鑒定出導電型號。 適用范圍 適合檢測硅芯，檢磷棒，檢硼棒，籽晶等圓柱晶體硅 適用于西門子法、硅烷法等生產(chǎn)多晶硅料的企業(yè) 適用于物理提生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè) 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導體器件企業(yè) 適用于科研、高等院校及需要量程測量電阻率的企業(yè) 產(chǎn)品特點 儀器消除了珀爾帖效應、塞貝克效應、少子注入效應等負效應的影響，因此測試精度提高 測量精度高，除了具有厚度修正功能外、還有溫度修正、圓片直徑修正等功能 特的設計能消除測量引線和接觸電阻產(chǎn)生的誤差， 測量的高精度和寬的量程范圍 雙數(shù)字表結構使測量，操作簡便 具有的測試數(shù)據(jù)查詢及打印功能 測量系統(tǒng)可實現(xiàn)自動換向測量、求平均值、zui大值、zui小值、平均百分變化率等 四探針頭采用進口紅寶石軸套導向結構，使探針的游移率減小，測量重復性提高 采用進口元器件，留有大的系數(shù)，提高了測試儀的性和使用壽命 測量電流采用高度穩(wěn)定的恒流源（萬分之五精度），不受氣候條件的影響 具有正測反測的功能，測試結果的準確性 具有抗強磁場和抗高頻設備的性能 參數(shù) 測量范圍 鍺：近本征鍺≤103 Ω?cm 硅≤103 Ω?cm 顯示方式： 液晶直顯 功 耗：30W 供電電源：AC 220V ±10% 50/60Hz. 推薦使用環(huán)境：溫度：23±2℃ 相對溫度：≤65% |  |
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