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TZNR-50B氧化鋅閥片測試儀

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更新時間:2018-01-16 10:59:44瀏覽次數(shù):501

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別 國產(chǎn)
TZNR-50B氧化鋅閥片測試儀,采用了*的高電壓升壓技術(shù),與微機技術(shù)相結(jié)合,實現(xiàn)了對ZnO閥片智能測試,該測試儀能夠?qū)纹蚨嗥ù┻M(jìn)行高電壓、小電流的伏安特性綜合測試。

詳細(xì)介紹

TZNR-50B氧化鋅閥片測試儀 

產(chǎn)品簡介

    氧化鋅(ZnO)非線性電阻zinc oxide nonlinear resistor(簡稱氧化鋅閥片)作為吸能與過電壓保護(hù)元件已廣泛應(yīng)用于水力、火力、與核能發(fā)電機組。目前在發(fā)電機勵磁回路中的整流橋交流側(cè)浪涌過電壓保護(hù)裝置、可控硅整流橋直流側(cè)換相尖峰過電壓吸收保護(hù)裝置、同步發(fā)電機轉(zhuǎn)子非全相過電壓保護(hù)裝置及滅磁裝置,已大量采用氧化鋅非線性電阻。

    氧化鋅非線性電阻在工作中既要承受長期的勵磁電壓,還要承受滅磁時來自轉(zhuǎn)子繞組的能量和過電壓沖擊,長期的勵磁電壓作用會使ZnO閥片產(chǎn)生靜態(tài)老化,而滅磁和過電壓沖擊會使ZnO閥片產(chǎn)生動態(tài)老化。不管是靜態(tài)老化還是動態(tài)老化均會使ZnO閥片的晶粒結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,造成V-A特性嚴(yán)重退化。靜態(tài)老化是一個緩慢的物理化學(xué)過程,其老化速度的快慢可以用漏電流或功率損耗的增長速度來衡量。漏電流使ZnO閥片體溫升高,由于ZnO閥片具有電壓負(fù)溫度系數(shù),其溫升與漏電流的上升及老化速度成正比關(guān)系,一旦產(chǎn)生惡性循環(huán),ZnO閥片將發(fā)生熱擊穿短路和炸裂。而動態(tài)老化對ZnO閥片也是一種溫度效應(yīng)。因此,氧化鋅非線性電阻性能的好壞,壽命的長短,將直接關(guān)系到電力行業(yè)的安全運行。故定期檢測ZnO閥片小電流V-A特性、檢測其漏電流增長速度、預(yù)測使用壽命就顯得格外重要。

   TZNR-50B氧化鋅閥片測試儀,采用了*的高電壓升壓技術(shù),與微機技術(shù)相結(jié)合,實現(xiàn)了對ZnO閥片智能測試,該測試儀能夠?qū)纹蚨嗥ù┻M(jìn)行高電壓、小電流的伏安特性綜合測試。TZNR-50A氧化鋅閥片測試儀輸出電壓可達(dá)2.5KV,電流分辨率可達(dá)0.5uA,測量時只需簡單操作即可對ZnO閥片進(jìn)行自動檢測。該儀器經(jīng)過專家鑒定,認(rèn)為具有操作簡單,精度高,抗干擾,防震,便于攜帶,無人為干擾因素等特點,達(dá)到了快速、準(zhǔn)確穩(wěn)定測試閥片的目的。自推出以來,得到用戶廣泛歡迎。

產(chǎn)品構(gòu)成
     主要由以下幾部分組成:電源回路、高壓發(fā)生器、放電回路、采樣隔離放大回路、A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、CPU控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)存儲器、數(shù)碼顯示器、數(shù)據(jù)通信口、I/O控制口等幾部O閥片上,通過采樣電阻取得其動態(tài)V-A特性信號,經(jīng)隔離放大,由A/D轉(zhuǎn)換電路變換成數(shù)字信號,數(shù)據(jù)經(jīng)過分析處理后,其小電流V-A特性曲線數(shù)據(jù)被完整保存,并將結(jié)果數(shù)據(jù)用LED數(shù)碼管顯示。同時通過RS232通訊口與PC機連接交換數(shù)據(jù),完成對閥片測試數(shù)據(jù)的*保存和數(shù)據(jù)曲線的顯示與打印,自動形成測試報告。

產(chǎn)品參數(shù)  

zui大輸出電壓

2500VDC

zui大輸出電流

20mA

分辨率

0.5uA

精度

0.5(級)

工作條件

環(huán)境溫度

0—45

   

90%RH

交流電源

220V±10%

電源頻率

50Hz

外型尺寸

450mm*380mm*300mm

重量

12.5Kg

 

產(chǎn)品附件本產(chǎn)品詳細(xì)清單,請以說明書或代銷合同為準(zhǔn)  

名稱

說明

數(shù)量

TZNR-50B主機

1

電源線

1

保險絲

3A

2

測試線

2

通訊線

1

使用手冊

U

1

注: 1.產(chǎn)品外觀以實際產(chǎn)品為準(zhǔn),技術(shù)參數(shù)與型號如有變動,恕不另行通知,如有盜用或復(fù)印行為,將追究法律責(zé)任。

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