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中國電子行業(yè)儀器優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商——堅融實業(yè)JETYOO INDUSTRIAL，Support、銷售Sale、服務(wù)Service，3S公司，提供專業(yè)的解決方案，測試測量技術(shù)改進、技術(shù)培訓(xùn)、采購管理、售后維修服務(wù)。

美國吉時利KEITHLEY萬用表2000，2001,2002,2010，2100,2110應(yīng)用領(lǐng)域：
 離散和無源元件 
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅(qū)動器頭、金屬氧化物可變電阻（MOV）、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結(jié)型晶體管（BJT）、場效應(yīng)晶體管（FET）等等 
 簡單IC器件——光學(xué)器件、驅(qū)動器、開關(guān)、傳感器
 集成器件——小規(guī)模集成（SSI）和大規(guī)模集成（LSI）
–模擬IC 
–射頻集成電路（RFIC）
–集成電路（ASIC）
–片上系統(tǒng)（SoC）器件
 光電器件，例如發(fā)光二極管（LED）、激光二極管、高亮度LED（HBLED）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、顯示器
 圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
 太陽能電池
 電池
暫態(tài)抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
安全氣囊
連接器、開關(guān)、繼電器
碳納米管
半導(dǎo)體納米線
碳納米管 FET
納米傳感器和陣列
單電子晶體管
分子電子
有機電子
基本運放電路
二極管和電路
晶體管電路

測試：
漏流
低壓、電阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔離與軌跡電阻
溫度系數(shù)
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數(shù)測試
直流電源
HIPOT
介質(zhì)耐受性

雙極結(jié)型晶體管設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)晶體管設(shè)計
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管設(shè)計
太陽能電池和 LED 設(shè)計
高電子遷移率晶體管設(shè)計
復(fù)合半導(dǎo)體器件設(shè)計

分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標(biāo)準(zhǔn)
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應(yīng)用中實現(xiàn)準(zhǔn)確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復(fù)性
一種微分電導(dǎo)的改進測量方法
納米技術(shù)準(zhǔn)確電氣測量的技術(shù)
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術(shù)
迎接65nm節(jié)點的測量挑戰(zhàn)
測量半導(dǎo)體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質(zhì)電容電壓特性分析
評估氧化層的可靠性

的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和試驗低電阻、低功耗半導(dǎo)體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現(xiàn)代材料、半導(dǎo)體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導(dǎo)通電阻參數(shù)、互連和低功率半導(dǎo)體。
用于*進CMOS技術(shù)的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質(zhì)電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術(shù)進行更高準(zhǔn)確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統(tǒng)
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產(chǎn)測試
多臺數(shù)字源表的觸發(fā)器同步
高亮度、可見光LED的生產(chǎn)測試
OLED顯示器的直流生產(chǎn)測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩(wěn)定特性分析
數(shù)字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數(shù)據(jù)
連接器的生產(chǎn)測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析

1. MOS 電容器
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層

寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應(yīng)和溫度效應(yīng)。
I-V 曲線分析：
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)； 氧化層電容測定； 與 C-V 曲線

比較。
C-V 曲線 (準(zhǔn)靜態(tài)) 結(jié)合 C-V 曲線：
表面電位 Ψs 與施加電壓的關(guān)系 – Si (100) 的表面態(tài)密度 Dit = f (Ψs) 與 

Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。
C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應(yīng)力：200°C，10 分鐘，±10V)
 
2. 雙極結(jié)型晶體管
     主題
   正向共發(fā)射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。
   正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。
   正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
   確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
   Βf 與 log(Ic) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   非理想特性：爾利電壓。
   反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
   反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。
   反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).
   確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
   Βr 與 log(Ie) 的關(guān)系： 低注入和高注入的效果。
   Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。
   Ebers Moll 模型構(gòu)建并且與實驗做比較。
   BE 和 CE 結(jié)的 C-V 特性分析。基區(qū)摻雜濃縮。
 
3. 亞微米集成 MOSFET
輸出特性：IDS = f(VDS,VGS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調(diào)制參數(shù)(λ) 在飽和區(qū)域 (VDS<–3V) 有效

溝道長度與 VDS 的關(guān)系。
傳輸特性：
襯底偏壓特性： 
亞閾值特性：
襯底電流特性：
使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：比較實驗結(jié)果。

吉時利高性能DMM系列的產(chǎn)品。它的高精度（38ppm）和六位半的分辨率特性，使之成為通用測量的理想選擇。

    美國吉時利KEITHLEY2100具有11種測量功能和8種數(shù)學(xué)計算功能，能夠輕松實現(xiàn)zui常用參數(shù)的測量。憑借其精度高、成本低的綜合優(yōu)勢，非常適合于研發(fā)工程師、測試工程師、科研人員以及學(xué)生在試驗臺或系統(tǒng)應(yīng)用中進行精準(zhǔn)測量。
 
keithley2100美國吉時利KEITHLEY萬用表特點
用于通用測量需求的高精度六位半數(shù)字萬用表，價格僅相當(dāng)于五位半的同類產(chǎn)品
11種測量功能，涵蓋zui常用的測量參數(shù)
所有測試功能的精度滿足ISO的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
USB 2.0接口兼容TMC，支持SCPI測試命令
隨機配置 KI-Tool軟件和Microsoft Word和Excel中的嵌入式軟件工具
結(jié)實耐用的結(jié)構(gòu)可適用于試驗臺與便攜式應(yīng)用
前、后面板輸入可選，便于試驗臺或機架式應(yīng)用
包括啟動軟件、USB連接線、電源線、安全測試探頭在內(nèi)的全套附件，zui大限度地為用戶節(jié)約成本
兼容CE 

keithley2100主要指標(biāo)
 

美國吉時利KEITHLEY2100六位半USB數(shù)字多用表可選配件

美國吉時利KEITHLEY4299-3型單機通用機架安裝套件

美國吉時利KEITHLEY4299-4型雙機通用機架安裝套件

美國吉時利KEITHLEY8605型高性能模塊化測試線，長度為0.9米（3 ft），（適用于美國吉時利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美國吉時利KEITHLEY8606型高性能模塊化探頭套件（適用于美國吉時利KEITHLEY2000、2001、2002、2010、2400系列）

美國吉時利KEITHLEY5808型低成本單探針，Kelvin探頭

系列產(chǎn)品

美國吉時利KEITHLEY2000型六位半數(shù)字多用表

美國吉時利KEITHLEY2001型高性能七位半數(shù)字多用表，帶8k存儲器

美國吉時利KEITHLEY2002型高性能八位半數(shù)字多用表，帶8k存儲器

美國吉時利KEITHLEY2010型七位半低噪聲自動變量程數(shù)字多用表