晶體是各向異性的均勻物體。的晶體，外觀上往往呈現(xiàn)某種對稱性。從微觀來看，組成晶體的原子在空間呈重復排列。即以晶體中的原子或其集合為基點，在空間中三個不共面的方向上，各按一定的點陣，不斷重復出現(xiàn)。如從重復出現(xiàn)的每個基元中各取某一相當點，則這些點合在一起形成一個空間點陣的一部分。確切地說，點陣是一組按連接其中兩點的矢量進行平移后而能復原的點的重復排列。

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晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導體，拓撲材料，熱電材料

表征方法：EDS，SEM，Raman

bandgap：0.4 eV

規(guī)格：注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

包裝：凈袋真空包裝

傳導類型：N型；半絕緣型

晶體方式： CVT 化學氣相傳輸法

拋向：單拋或雙拋

可用表面積：> 90%

瑞禧定制供應WSe2 二硒化鎢、WTaSe4 鎢鉭硒晶體、WTe2 碲化鎢、Zr5Te4晶體、ZrGeTe4晶體、ZrS2 二硫化鋯、ZrS3 三硫化鋯、ZrSe2 二硒化鋯、ZrSe3 三硒化鋯、ZrTe3 拓撲絕緣體、ZrTe5晶體、α-MoO3 晶體、摻釩(V)MoSe2晶體 MoVSe4、摻錸(Re) WSe2晶體 WReSe4、摻錸(Re)MoSe2晶體 MoReSe4、摻鉬（Mo：25%) WSe2晶體 MoWSe4、摻鈮(Nb)MoS2晶體 MoNbS4、摻鈮(Nb)MoSe2晶體 MoNbSe4、摻鈮（Nb）WSe2晶體 WNbSe4、摻鎳(Ni)MoSe2晶體、摻鉭(Ta)MoSe2晶體 MoTaSe4、摻鐵(Fe)MoSe2晶體、摻鎢(W)MoSe2晶體 MoWSe4、摻雜Co Bi2Se3晶體、Bi2O2Se、BiSe 、Cr2Si2Te6 、CuCrP2S6、CuIn7Se11、FePS3 、Ni2SiTe4、PbSnSe2、Si2CuP3 、SnS  硫化亞錫、ZrGeTe4、Ag2Te粉體、Cr2Ge2Te6、PbSnS2 、PdSe2粉體 二硒化鈀、碲單晶 Te Crystal、GeTe晶體、HfS2 硫化鉿、HfS3晶體、HfSe2 硒化鉿、HfTe2 碲化鉿晶體、HfTe5晶體、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體、In2P3S9晶體、In2P3Se9 晶體、In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體、InBi晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 （β相）、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體、MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、Mo0.95W0.05Se2晶體、Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體、Ni2SiTe4晶體、NiCoSe2晶體、NiI2 碘化鎳晶體、FeSe2納米棒 、FeSe2納米球、FeSe2納米管、Ag2Te晶體、Ag3Sb晶體、AgInP2S6晶體、AgInP2Se6晶體、AgTaS3晶體、Bi2O2Se 硒氧鉍晶體、Bi2Se3 硒化鉍、Bi4Pb7Se13晶體、BiI3碘化鉍晶體、BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體、BiSe 晶體、BiTe晶體、Bi單晶 Bi晶體 鉍、CdI2晶體、CdPS3 晶體、Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體、CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體。

來自小編瑞禧YQ2021.5