Megger 1020/2 絕緣電阻測(cè)試儀

簡(jiǎn)單介紹
測(cè)試電壓：50V~10000V
測(cè)試電壓在50V-1000V的范圍里以10V步進(jìn)遞增，1KV-10KV的范圍里以25V步進(jìn)遞增
測(cè)試電阻（阻抗）顯示zui大讀數(shù)35TΩ，顯示zui小讀數(shù)10KΩ
短路電流：3mA
實(shí)時(shí)輸出：能連續(xù)不斷的輸出測(cè)試電壓，電流和阻抗

美國(guó)Megger （AVO）絕緣電阻測(cè)試儀MIT1020/2的詳細(xì)介紹
美國(guó)Megger （AVO） MIT1020/2 10KV絕緣電阻測(cè)試儀（高壓兆歐表）

產(chǎn)品特點(diǎn)：
▲全新的MIT1020/2絕緣電阻測(cè)試儀是MEGGER特別設(shè)計(jì), 用來(lái)測(cè)試和維護(hù)高壓設(shè)備的*儀器。

▲IEEE43-2000*使用者可以使用MIT1020/2來(lái)測(cè)試額定超過12KV的電動(dòng)機(jī)的繞組。
▲雙路電源輸入設(shè)計(jì)：可充電電池或主電源輸入。儀器可由220V電源供電，也可以由儀器內(nèi)置可以充電電池供電。這樣有一個(gè)好處就是要測(cè)試的場(chǎng)所不清楚是否有電源或者測(cè)試周期不清楚的時(shí)候，都可以來(lái)進(jìn)行測(cè)試。
▲數(shù)字/模擬雙顯示測(cè)試結(jié)果
▲測(cè)試電壓由50V 至10KV 可調(diào)
測(cè)試電壓在50V-1000V 的范圍里以10V（步進(jìn)）微調(diào)，1000V-10000V的范圍里以25V（步進(jìn)）微調(diào)。
▲絕緣電阻測(cè)量測(cè)試范圍擴(kuò)展為35TΩ,用于對(duì)高質(zhì)量絕緣材料的絕緣趨勢(shì)分析等。

▲短路電流：3mA

▲抗干擾：2mA rms

▲全新設(shè)計(jì)的背光LCD顯示屏使操作者在陽(yáng)光下或者光線很暗的情況下輕松讀出數(shù)據(jù)。
▲絕緣電阻測(cè)試儀顯示的信息：絕緣阻值，實(shí)時(shí)測(cè)試電壓，泄漏電流，等效電容，電池狀態(tài)和時(shí)間常數(shù)。同時(shí)，每次測(cè)試時(shí)LCD上還會(huì)顯示已測(cè)試時(shí)間，這就不需要在測(cè)試時(shí)額外計(jì)時(shí)。
▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置了多個(gè)計(jì)時(shí)器，還具備絕緣測(cè)試設(shè)限告警功能。
▲儀器上還帶有一個(gè)接地端子，使儀器能提高其精確性。
▲儀器的標(biāo)號(hào)分別標(biāo)在儀器的頂部和旁邊，方便儲(chǔ)存或者運(yùn)輸?shù)臅r(shí)候辨認(rèn)。
▲儀器的控制的操作都清楚的寫在儀器隨機(jī)器附帶的說(shuō)明書里面。
產(chǎn)品功能：
內(nèi)置多種自動(dòng)測(cè)試程序：
▲IR 絕緣電阻測(cè)試、
▲DAR 吸收比測(cè)試 （介電吸收率）、
▲PI 極化指數(shù)測(cè)試、
▲SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試
▲DD 測(cè)試 （介質(zhì)放電））
▲測(cè)試上限擴(kuò)展：35TΩ
▲提供USB與RS232接口下載數(shù)據(jù)
▲儀器內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器可保存測(cè)試結(jié)果:存儲(chǔ)測(cè)試電壓，預(yù)設(shè)時(shí)間，泄漏電流，絕緣電阻，極化指數(shù)，DAR，DD，等效電容， 時(shí)間常數(shù)。

產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)：

電源
95-240V，50/60 Hz 60VA

電池使用時(shí)間
在 10KV 狀態(tài)下，進(jìn)行4小時(shí)連續(xù)測(cè)試

測(cè)試電壓（DC）
1KV-10KV，每 25V 步進(jìn)

精度
± 5% 1 TΩ

（23°C）
± 20% 20 TΩ

顯示范圍
數(shù)字顯示 10 KΩ 到 35 TΩ

模擬顯示 100 KΩ 到 1 TΩ

短路電流/
3mA

充電電流

電容充電時(shí)間
≤5秒/µF @ 3mA

電容放電時(shí)間
放電從 10000V 到

50V ≤250 ms/µF

電容測(cè)量
10nF 到 50µF（取決于測(cè)量電壓）

電容測(cè)量精度
± 5% ± 5nF

（23°C）

電壓輸出精度
基本測(cè)試電壓的 +4% @ 1GΩ

（0°C-30°C）
±25V非標(biāo)測(cè)試電壓（<500V）

測(cè)試電流范圍
0.01mA to 5mA

測(cè)量電流精度
± 5% ± 0.2mA @ 各種電壓量程

（23°C）

抗干擾
2mA rms

主計(jì)時(shí)器量程
99分鐘59秒

導(dǎo)線
3條測(cè)試導(dǎo)線，帶絕緣夾頭

內(nèi)存容量
32KB

內(nèi)置測(cè)試程序
自動(dòng)IR，PI，DAR，DD，SV

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
存儲(chǔ)測(cè)試電壓，預(yù)設(shè)時(shí)間，泄漏電流，絕緣電阻，極化指數(shù)，DAR，DD，等效電容， 時(shí)間常數(shù)

工作溫度
-10°C-+50°C

儲(chǔ)存溫度
-25℃- +65℃

濕度
90% RH非凝固@40℃

保護(hù)等級(jí)
IP65

安全標(biāo)準(zhǔn)
符合EN61010- 1：2001 CATIII 300V

EMC
符合EN61326-1：1998

外形尺寸
305mm ×194 mm ×360 mm

重量
約7．1公斤

產(chǎn)品持有證書
CE
 

絕緣電阻測(cè)試儀測(cè)試指標(biāo)名詞解釋

（PI）
極化指數(shù)測(cè)試

極化指數(shù)：在同一次試驗(yàn)中，10min時(shí)的絕緣電阻值與1min時(shí)的絕緣電阻值之比。


（DAR）
感應(yīng)吸收比（誘電吸收比）測(cè)試

吸收比：在同一次試驗(yàn)中，60s時(shí)的絕緣電阻值與15s時(shí)的絕緣電阻值之比。



（SV）
步進(jìn)電壓測(cè)試

（DD）
介質(zhì)放電（誘電體放電）
 

絕緣電阻,吸收比,極化指數(shù)之間的關(guān)系
當(dāng)說(shuō)吸收比時(shí)，應(yīng)該說(shuō)到絕緣電阻極化指數(shù)。
絕緣電阻：在絕緣結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極之間施加的直流電壓值與流經(jīng)該對(duì)電極的泄漏電流值之比。R=U/I，常用單位：（MΩ）兆歐
 

10KV系列絕緣電阻測(cè)試儀選型及功能對(duì)照表

產(chǎn)品型號(hào) MIT1020/2 S1-1052/2 S1-1054/2
絕緣電壓測(cè)試范圍 　 　 　
50~10,000V（可步進(jìn)調(diào)節(jié)） ▲ ▲ ▲
絕緣測(cè)試 　 　 　
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui大顯示數(shù)字讀數(shù)） 35 T Ω 35 T Ω 35 T Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui小顯示數(shù)字讀數(shù)） 10 k Ω 10 k Ω 10 k Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui大顯示模擬讀數(shù)） 1 T Ω 1 T Ω 1 T Ω
絕緣電阻測(cè)試顯示范圍（zui小顯示模擬讀數(shù)） 100 k Ω 100 k Ω 100 k Ω
功能 　 　 　
zui大輸出電流 5mA 5mA 5mA
短路電流 3mA 5mA 5mA
抗干擾抑制 2mA 2mA 4mA
自動(dòng)進(jìn)行試品IR泄漏電流測(cè)試 ▲ ▲ ▲
自動(dòng)測(cè)量絕緣電阻 ▲ ▲ ▲
DAR吸收比測(cè)試（介電吸收率）
▲ ▲ ▲
PI 極化指數(shù)測(cè)試
▲ ▲ ▲
SV 步進(jìn)電壓（跨步電壓）測(cè)試
▲ ▲ ▲
DD 測(cè)試 （介質(zhì)放電）測(cè)量
▲ ▲ ▲
內(nèi)置定時(shí)器器 ▲ ▲ ▲
內(nèi)置32KB存儲(chǔ)器 ▲ ▲ ▲
顯示 　 　 　
數(shù)字和模擬雙重顯示 ▲ ▲ ▲
顯示測(cè)試電壓 ▲ ▲ ▲
顯示試品充電時(shí)間 ▲ ▲ ▲
顯示充電電流 ▲ ▲ ▲
顯示時(shí)間
▲ ▲ ▲

▲絕緣電阻測(cè)試儀內(nèi)置五種可設(shè)置工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)絕緣測(cè)試程序，可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測(cè)試，提供全部分析結(jié)果：
▲絕緣電阻測(cè)試儀外殼由硬塑聚炳烯制造，由于在生產(chǎn)過程中經(jīng)過特殊處理，因此特別堅(jiān)固耐用，而且輕巧便于攜帶，符合IP65標(biāo)準(zhǔn)。
（替代S1-5005、MEG-10-01）

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