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FERA3雙束掃描電鏡離子束流高達 2 µA，因此其濺射速度是傳統(tǒng) Ga 離子源的 50 倍以上，這使得 FERA3 成為完成耗時過長或幾乎不可能實現(xiàn)的大體積銑削任務的理想設備。

在 FIB-SEM 系統(tǒng)中，電子和離子束的焦點可以重合，從而可以對多種實際應用進行優(yōu)化。這一特征使得其在 FIB 銑削任務期間能夠同時進行 SEM 成像——這使得在完成*精度要求的 FIB 操作時，性能和吞吐量都有了巨大飛躍。同時，F(xiàn)ERA3 配備有高性能的電路系統(tǒng)以用于更快的圖像采集，超快速的靜態(tài)和動態(tài)圖像畸變補償掃描系統(tǒng)以及用戶自定義內置應用程序腳本等。

FERA3雙束掃描電鏡

突出特點

現(xiàn)代電子光學系統(tǒng)

• Wide Field Optics™設計，利用中間鏡 ( IML) 技術使掃描電鏡具有多種操作和顯示模式，如大視野模式、景深增強模式等；
• 實時電子束追蹤技術(In-Flight Beam Tracing™)，可實現(xiàn)性能及電子束的優(yōu)化，同時直接連續(xù)調節(jié)控制電子束參數(shù)；
• 全自動電子光學系統(tǒng)的設置與對中；
• 極快速的圖像采集速率，高達 20 ns；
• 應用3D 電子束技術可實現(xiàn)*的實時立體成像觀察，開啟驚奇的 3D 體驗及 3D 導航微納世界之旅；

極其強大的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒

高電子回旋共振（High-ECR）產(chǎn)生的 Xe 等離子源 FIB 鏡筒，可完成 Ga 離子源 FIB 在納米工程領域不能完成的任務

• 濺射速率比 Ga 液態(tài)金屬離子源快 50 倍；
• 離子束流范圍：1 pA ~ 2 µA, 分辨率：< 25 nm；
• 新研發(fā)的高分辨率 Xe 等離子體 FIB 鏡筒（選配），分辨率優(yōu)于15nm，進一步增強刻蝕能力；
• 大重量的 Xe 等離子具備更大的 FIB 電流范圍，在無氣體輔助增強的條件下也可實現(xiàn)超快濺射
• 相較于 Ga 液態(tài)金屬離子源，離子注入效應顯著減少；
• Xe 惰性氣體原子不會改變圖樣區(qū)域附近的電學性能；
• 銑削過程中無金屬間化合物形成。