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低溫強(qiáng)磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡? - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系統(tǒng)
| 納米尺度下的磁學(xué)圖像對于研究磁性材料和超導(dǎo)樣品是非常重要的，用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系統(tǒng)，科學(xué)家可以在無以倫比的空間分辨率（20nm）和磁場敏感性下分析樣品磁性，工作溫度從低溫、強(qiáng)磁場到室溫。 |
| 德國attocube公司低溫強(qiáng)磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡采用模塊化的設(shè)計(jì)。用標(biāo)配的控制器和樣品掃描臺，用戶僅需要更換掃描頭和對應(yīng)的光學(xué)部件即可實(shí)現(xiàn)不同功能之間的切換。
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低溫強(qiáng)磁場磁力顯微鏡 - attoMFM I系統(tǒng)
| attoMFM I采用緊湊設(shè)計(jì)，其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。在掃描時(shí)，探針是固定的，而進(jìn)行樣品掃描。樣品與探針之間的磁力梯度由光纖干涉的模式，通過測量共振頻率或相位變化而確定。 在實(shí)驗(yàn)過程中，樣品和探針保持定的距離，典型值為10-100nm。工作在共振頻率模式時(shí)，PLL用于激發(fā)微懸臂，進(jìn)行閉環(huán)掃描，實(shí)現(xiàn)*的空間分辨率（10.7nm，如下圖）。
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| attoMFM I點(diǎn)與技術(shù)勢 | attoMFM I技術(shù)參數(shù) | |
+ 工作模式：MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導(dǎo)電AFM、EFM + 可升到SHPM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍，4K + 30umX30um掃描范圍，4K + MFM*空間分辨率：好于11nm + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場：可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠MFM掃描頭設(shè)計(jì) + 閉環(huán)式掃描模式 + 外置CCD，用于檢測低溫環(huán)境中樣品的位置 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測量 + 磁性顆粒的局域場測量 + 磁化率和磁滯回線測量+ 超導(dǎo)、磁疇、材料科學(xué)研究 | + 樣品定位范圍：5 X 5 X 5mm，4K + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K + 磁場強(qiáng)度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） + MFM側(cè)向分辨率：好于20nm + RMS z-noise水平（4K）：0.05nm + z bit分辨率（全范圍內(nèi)）：7.6pm + z bit分辨率（掃描范圍內(nèi)）：0.12pm |
低溫強(qiáng)磁場掃描霍爾顯微鏡- attoSHPM系統(tǒng)
| attoSHPM采用緊湊設(shè)計(jì)，其主要用于低溫和低溫環(huán)境中。其探針是采用MBE生長的GaAs/AlGaAs霍爾傳感器。局域測量通過霍爾探針在樣品表面進(jìn)行掃描而實(shí)現(xiàn)，將測得的霍爾電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換，即可計(jì)算出局域磁場強(qiáng)度。
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| attoSHPM點(diǎn)與技術(shù)勢 | attoSHPM技術(shù)參數(shù) | |
| + 可升到MFM、接觸式/半接觸式/非接觸模式AFM、導(dǎo)電AFM、EFM、共聚焦顯微鏡、SNOM和STM + 5X5X5mm粗定位范圍，4K + 30umX30um掃描范圍，4K + 變溫范圍：mK - 373K + 兼容強(qiáng)磁場：可達(dá)15Tesla + 兼容1"和2"孔徑的磁體與恒溫器，如Quantum Design-PPMS系統(tǒng) + 其緊湊和可靠SHPM掃描頭設(shè)計(jì)+ 定量和非破壞性磁性測量，mK溫度 + 閉環(huán)式掃描模式 + 用于超導(dǎo)體的vortex分布與定扎測量 + 磁性顆粒的局域場測量 + 磁化率和磁滯回線測量+ 超導(dǎo)、磁疇、材料科學(xué)研究 | + 用STM原理/音叉模式探測樣品與探針之間的距離 + 樣品位移步長：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K + 掃描范圍：40X40 um @300K；30X30 um @4K + 磁場強(qiáng)度： 0 -15Tesla (取決于磁體） + 變溫范圍：mK - 300K （取決于恒溫器） + 工作真空環(huán)境：1X10-6mbar - 1bar（He交換氣氛） +SHPM探針：MBE生長的GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié) + 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um掃描范圍 + 側(cè)向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um掃描范圍 + z bit分辨率，4K：0.030nm，2um掃描范圍 |
