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劍橋大學舉辦新型時間分辨陰熒光測量系統(tǒng)Allalin Chronos安裝交付儀式

時間:2019-12-25閱讀:849
劍橋大學舉辦新型時間分辨陰熒光測量系統(tǒng)Allalin Chronos安裝交付儀式

2019年9月,劍橋大學Rachel Oliver教授及其團隊聚集了來自英國科學和工業(yè)界的50多名研究人員,為其全新的時間分辨陰熒光測量系統(tǒng)Allalin Chronos的順安裝和交付使用舉行了盛大的開幕式!


劍橋大學物理科學學院院長Lindsay Greer教授主持開幕儀式,并對這臺設備獲得的時間分辨陰熒光結(jié)果和應用進行了許多深入而熱烈的討論,內(nèi)容涵蓋了從化合物半導體材料和器件到鈣鈦礦和地質(zhì)樣品的各種材料。Rachel Oliver教授隨后介紹了此設備的實用性,強調(diào)了此設備的順安裝必將大促進英國科學界在相關(guān)域的研究,期待可以得到更多的創(chuàng)新性科研成果!
 



開幕式現(xiàn)場照片

這款進的時間分辨陰熒光測量系統(tǒng)是由瑞士attolight自主研發(fā)生產(chǎn)的,Attolight公司CEO Samuel Sonderegger博士應邀參加開幕式,并與到場科學家進行了深入的技術(shù)交流和溝通。

款同時具備時間分辨和空間分辨的陰熒光測量系統(tǒng),attolight生產(chǎn)的Allalin Chronos具有如下的*技術(shù)勢和應用點:


Allalin Chronos系統(tǒng),可實現(xiàn)變溫、時間分辨、納米尺度分辨率的陰熒光分析。在連續(xù)模式下,系統(tǒng)采用高電流密度的肖基場發(fā)射電子槍。在時間分辨模式下,相同的電子槍則為超快激光器所驅(qū)動,產(chǎn)生超短電子脈沖。系統(tǒng)*的高效率定量CL收集系統(tǒng),有效保障時間分辨陰熒光光譜測試。


激發(fā)激光器與探測器之間精確同步,從而使皮秒的時間分辨陰熒光分析成為可能。脈沖模式與連續(xù)模式之間的切換是自動化的,且僅需要幾分鐘,這使得系統(tǒng)能夠成為的多用戶設備,滿足不同用戶的研究需求和使用要求。


Allalin Chronos是為那些需要獲取光譜動力學信息的研究者們而量身打造的,具有納米空間分辨率及皮秒的時間分辨率。系統(tǒng)具有整套超快探測器,探測波長覆蓋紫外至近紅外波段(200 nm~1700 nm),盡大可能化您的應用。


該系統(tǒng)還可搭配超穩(wěn)液氦恒溫器使用,工作溫度覆蓋10 K至室溫。Allalin Chronos的多功能設計也使它能夠執(zhí)行其他進的表征測試,例如泵浦/探測光譜及動態(tài)SEM。


附1:基于時間分辨陰熒光光譜的應用及部分實例


-局域輻射和非輻射載流子壽命的測定


-半導體異質(zhì)結(jié)中載流子激發(fā)動力學的分析


-進的泵浦/探測光譜

 



用時間分辨CL分析彎曲狀態(tài)下氧化鋅微米帶中的激子擴散行為:沿微米帶徑向三個不同激發(fā)區(qū)域的時間分辨熒光光譜。根據(jù)測試結(jié)果,可以建立并驗證應力誘導的激子擴散模型。(ACS Nano, 8(4), 3412-3420, 2014)


InGaN/GaN量子阱中局域載流子復合。(Applied Physics Letters 109, 232103 (2016))


 


在氮化鎵中圍繞單位錯缺陷的CL強度與有效壽命。(Applied Physics Letters 109, 042101 (2016))





單根InGaN/GaN核/殼微米柱的時間分辨CL衰減及CL成像結(jié)果。(Applied Physics Letters 112, 052106 (2018))


附2:Rachel Oliver教授用Attolight陰熒光光譜儀開展的部分研究工作:


[1] T. J. Puchtler, A. Woolf, T. Zhu, D. Gachet, E. L. Hu, R. A. Oliver. Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities. ACS Photonics, 2015, 2, 137-143.


[2] T. Zhu, D. Gachet, F. Tang, W. Y. Fu, F. Oehler, M. J. Kappers, P. Dawson, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Local carrier recombination and associated dynamics in m-plane InGaN/GaN quantum wells probed by picosecond cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 232103.


[3] C. J. Humphreys, F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kovacs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, R. A. Oliver. Atomic Resolution Imaging of Dislocations in AlGaN and the Efficiency of UV LEDs. Microsc. Microanal., 2018 ,4, 4-5.


[4] F. C-P. Massabuau, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’ Hanlon, A. Kovács, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R. A. Oliver. Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties. Nano Lett., 2017, 17, 4846-4852.


[5] F. C-P. Massabuau, P. Chen, S. L. Rhode, M. K. Horton, T. J. O’Hanlon, A. Kov´acs, M. S. Zielinski, M. J. Kappers, R. E. Dunin-Borkowski, C. J. Humphreys, R.A. Oliver. Alloy fluctuations at dislocations in III-Nitrides: identification and impact on optical properties. Proceedings Volume 10532, Gallium Nitride Materials and Devices XIII; 105320R (2018)


附3:部分國內(nèi)家學者用Attolight陰熒光光譜儀開展的研究工作:


[1] X. Fu, G. Jacopin, M. Shahmohammadi, R. Liu, M. Benameur, J-D. Ganière, J. Feng, W. Guo, Z. Liao, B. Deveaud, D. Yu. Exciton Drift in Semiconductors under Uniform Strain Gradients: Application to Bent ZnO Microwires. ACS Nano, 2014, 8, 3412-3420.


[2] M. Shahmohammadi, G. Jacopin, X. Fu, J-D, Ganière, D. Yu, B. Deveaud. Exciton hopping probed by picosecond time-resolved cathodoluminescence. Appl. Phys. Lett., 2015, 107, 141101.


[3] Y. Song, L. Zhang, Y. Zeng, L. Qin, Y. Zhou, Y. Ning, L. Wang. Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence. Materials 2018, 11(6), 1049.


[4] X. Xie, B. Li, Z. Zhang, S. Wang, D. Shen. Controlled compensation via nonequilibrium electrons in ZnO. Sci. Rep., 2018, 8, 17020.


(DOI:10.1038/s41598-018-35178-w)


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