您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)! 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
論文題目:Non-volatile rippled-assisted optoelectronic array for all-day motion detection and recognition
發(fā)表期刊:Nature Communications IF: 17.65
DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-024-46050-z
【引言】
隨著人工智能和信息技術的進步,運動檢測和識別 (MDR) 技術在自動駕駛、安全監(jiān)控、道路交通管制和軍事相關等領域變得越來越重要。當前基于互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 圖像傳感器對運動檢測存在著一些不足。例如,傳感器對光線依賴性強和缺乏數(shù)據(jù)處理能力。對光線的依賴導致了這些傳感器僅在明亮的環(huán)境下能高效檢測運動,在黑暗環(huán)境下表現(xiàn)不佳。缺乏數(shù)據(jù)處理能力會造成傳感器無法提取和處理運動信息的問題。使得現(xiàn)有的傳感器難以分析運動軌跡或識別具體物體。此外,將圖像傳感器的大量數(shù)據(jù)轉換為數(shù)字形式以便進行數(shù)據(jù)傳輸和存儲,也會導致時間和電力的浪費。
【成果簡介】
為了解決上述在運動檢測領域所存在的問題,2024年2月復旦大學相關課題組聯(lián)合中科院相關團隊利用小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3,將MoS2二維材料制備出形變增強光電器件(RAO)。所制備出的器件僅能夠實現(xiàn)持續(xù)可重構的非易失性正負光電導,還在室溫下具有高的遷移率和光存儲動態(tài)范圍。由于所制備的RAO光電器件陣列模仿了蛇的視覺系統(tǒng)特性,可在全天候運動檢測和識別 (MDR) 方面實現(xiàn)從可見光 (405 nm) 到近紅外 (940 nm) 的寬帶譜檢測。相關工作以《Non-volatile rippled-assisted optoelectronic array for all-day motion detection and recognition》為題,在SCI期刊《Nature Communications》上發(fā)表。
文中使用的小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3克服了傳統(tǒng)光刻工藝中需要掩膜版的難題,通過電腦控制DMD微鏡矩陣開關,經(jīng)過光學系統(tǒng)調制,直接在光刻膠上曝光繪出所要的圖案。與此同時,該設備還具備結構緊湊(70cm X 70cm X 70cm)、直寫速度高,高分辨率(XY:<1 μm)等特點。采用集成化設計,全自動控制,可靠性高,操作簡便。憑借這些優(yōu)勢,MicroWriter ML3為本研究器件的成功制備提供了關鍵技術支持。
小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
【圖文導讀】
圖1. RAO光電器件結構示意圖。(a)RAO光電器件的3D概念圖,每一個單元構成圖像中的一個像素。(b)由MicroWriter ML3所制備的RAO光電器件的光學表征結果。(c)RAO器件中MoS2形變部分的掃描透射表征結果。(d)64個RAO光電單元的拉曼表征結果,和(e)RAO光電器件的拉曼圖譜分析結果。(f)兩種NV色心在RAO器件中隨時間的變化結果。(g)和(h)在光照條件下正負光電導的變化機理示意圖。
圖2. RAO光電器件的光電性能表征結果。(a)VDS為0.5V的條件下IDS隨VBG的變化結果。(b)由光誘導的兩種NV色心的狀態(tài)統(tǒng)計。(c)RAO器件中電子遷移率的統(tǒng)計結果。(d)RAO 陣列的閾值電壓統(tǒng)計特性與遷移率的統(tǒng)計特性類似,都服從正態(tài)分布。(e)和(f)每個像素最小和最大的IDS。(g) 本工作中電子遷移率與已報到工作相比較。(h) 本工作與之前工作中電子遷移率和厚度間的比較。(i)本工作與他人工作中器件的光學動態(tài)范圍比較。
圖3. 通過MicroWriter ML3制備的光電器件的光學和掃描電鏡表征結果。(a),(b)和(c)為光學結果。(d),(e)和(f)為器件的掃描電鏡表征結果。
圖4. 受到蛇眼啟發(fā)的全天候運動檢測系統(tǒng)。(a)和(b)蛇眼捕捉動態(tài)目標的原理。(c)在有足夠光線條件下的RAO運動檢測結果。(d)在光線不足條件下的檢測結果。
【結論】
論文中,復旦大學和中科院的相關團隊利用MicroWriter 小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備了基于MoS2的二維光電檢測器件。由于該器件利用了MoS2的形變效應,顯著提高了器件中的電子遷移率。與同類器件相比,論文中所制備出的光電檢測器件光學檢測范圍更大,數(shù)據(jù)處理能力更強,功耗更低。該工作為需要進行全天候光學動態(tài)檢測的相關領域,提供了新的方案,更提供了新的解決思路。從論文中還可以看出,MicroWriter ML3無掩模光刻機得益于其強大的光刻和套刻能力,可以十分方便地實現(xiàn)實驗中所設計圖形的曝光,是各學科科研中制備各類微納器件的得力助手。
相關產(chǎn)品
1、小型臺式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,化工儀器網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規(guī)避購買風險,建議您在購買產(chǎn)品前務必確認供應商資質及產(chǎn)品質量。