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MicroWriter ML3助力一篇Science子刊!人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片領(lǐng)域新成果

時(shí)間:2023-9-16閱讀:453

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論文題目:An artificial neural network chip based on two-dimensional Semiconductor

發(fā)表期刊:Science Bulletin. IF:18.9

DOI:https://doi.org/10.1016/j.scib.2021.10.005


前言

       近年來,人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在圖像處理和感知識(shí)別等方面有著越來越多的應(yīng)用,將傳感器和信號(hào)處理器集成到一顆芯片中可以有效提高信號(hào)處理的速度和效率。具有原子級(jí)厚度和豐富能帶結(jié)構(gòu)的二維半導(dǎo)體材料非常適用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)芯片的制備。二維半導(dǎo)體材料直接生長于硅基底絕緣體上,相應(yīng)的器件具有低的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流,器件的能耗相對(duì)較低,所制備的芯片在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件(DRAM)的數(shù)據(jù)刷新頻率也相對(duì)較低。與傳統(tǒng)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件相比,基于MoS2的晶體管,有較高的信噪比,并更適用于矩陣計(jì)算。因此,二維半導(dǎo)體材料在人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)芯片的制備領(lǐng)域也越來越凸顯其重要性。

案例概述

       近日,復(fù)旦大學(xué)課題組,通過后柵極工藝(gate-last processing)在晶圓尺寸上制備了MoS2材料,并制備了可用于智能感知的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANN)芯片。在經(jīng)過后續(xù)訓(xùn)練后,芯片對(duì)觸覺書寫字母識(shí)別率可高達(dá)97%。文中的芯片制備使用的是小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3,該設(shè)備具有結(jié)構(gòu)小巧緊湊(70cm x 70cm x 70cm)、無需掩膜版、高直寫速度以及高分辨率等特點(diǎn),是低成本開發(fā)各類微納器件的利器。除此之外,設(shè)備特殊的精準(zhǔn)套刻功能和虛擬掩膜系統(tǒng)為本工作中芯片的成功制備提供了重要基礎(chǔ)。該工作以“An artificial neural network chip based on two-dimensional semiconductor"為題,在SCI期刊Science Bulletin上發(fā)表。

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小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3

圖文導(dǎo)讀

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圖1. 使用MoS2制備人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片圖示。(a)生物神經(jīng)元的數(shù)學(xué)類比。(b)基于MoS2人工神經(jīng)元的示意圖。(c)人工神經(jīng)芯片數(shù)據(jù)處理示意圖。(d)由MicroWriter ML3所制備的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片光學(xué)放大圖。(e)基于MoS2的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片示意圖。

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圖2. 基于MoS2晶圓尺寸器件和乘法和累加的工作原理。(a)用化學(xué)氣相沉積法制備的2英寸MoS2樣品。(b)MoS2器件結(jié)構(gòu)示意圖。(c-d)49個(gè)FETs的傳輸特性測(cè)試和模擬圖。(e)乘法器單元示意圖。(f)乘法器中的ID,VG1和VG2的三者間的關(guān)系圖。(g)圖的上半部分顯示了具有并聯(lián)多分枝雙柵極FETs器件,下圖為相應(yīng)的示意圖。(h)乘法器分支數(shù)量和總電流關(guān)系圖。(i)乘法和累加的工作原理示意圖。

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圖3. 支持人工神經(jīng)芯片的外圍電路。(a)具有一個(gè)神經(jīng)突觸的累神經(jīng)元MoS2電路。(b)擁有多分枝乘法和累加器和一個(gè)模擬隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的器件的光學(xué)照片。(c)1T(晶體管)-1C(電容器)單元的讀寫過程。(d)用電容控制晶體管(T2)的電流Id隨時(shí)間的變化。(e)Vout和Vin的模擬(上部圖)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果(下部圖)。

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圖4. 用接觸感知測(cè)試人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片。(a)人體感知觸摸的示意圖。(b)訓(xùn)練后,不同字母在器件不同位置引起的電流的變化。(c)23次訓(xùn)練后輸入和輸出的權(quán)重。(d)均方差隨著訓(xùn)練次數(shù)的變化。(e)訓(xùn)練次數(shù)和識(shí)別率的關(guān)系圖。

結(jié)論

      復(fù)旦課題組通過化學(xué)氣相沉積法制備了晶圓尺寸的MoS2材料,通過小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備了基于MoS2材料的人工神經(jīng)芯片,所制備的芯片經(jīng)過訓(xùn)練后,可以精確識(shí)別手寫字母。該工作優(yōu)化了基于MoS2芯片的構(gòu)架,提升了計(jì)算能力,為人工神經(jīng)芯片領(lǐng)域的發(fā)展起到推動(dòng)作用。


參考文獻(xiàn)

[1]. An artificial neural network chip based on two-dimensional semiconductor. Shunli Ma, Tianxiang Wu, Xinyu Chen, et al. Science Bulletin(2021)


相關(guān)產(chǎn)品

1、小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3



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