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可勝任高熔點(diǎn)、高揮發(fā)性材料制備的高性能激光浮區(qū)法單晶爐

時(shí)間:2022-7-18閱讀:1331

激光浮區(qū)技術(shù)(LFZ),在過去的幾十年里,作為種簡(jiǎn)單、快速、無(wú)需坩堝的生長(zhǎng)高質(zhì)量單晶材料的方法,在高熔點(diǎn)材料的單晶生長(zhǎng)域取得·越進(jìn)展。

 

LFZ與常規(guī)光學(xué)浮區(qū)技術(shù)OFZ大的區(qū)別是用于加熱和熔化的光輻照源不同。OFZ通常是使用橢球鏡將鹵素?zé)艋蛘唠療艄庠淳劢沟缴L(zhǎng)棒來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)。LFZ則是采用激光作為加熱光源進(jìn)行晶體生長(zhǎng),由于激光光束具有能量密度高的點(diǎn),因此可實(shí)現(xiàn)高飽和蒸汽壓、高熔點(diǎn)材料及高熱導(dǎo)率材料等常規(guī)浮區(qū)法單晶爐難以勝任的單晶生長(zhǎng)工作。

 

隨著技術(shù)的不斷迭代,2020年Quantum Design Japan公司和日本理化研究所Yoshio Kaneko教授密切合作,聯(lián)合設(shè)計(jì)開發(fā)了新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐LFZ,該系統(tǒng)采用了5束激光光路的設(shè)計(jì)方案,保證了激光輻照強(qiáng)度均勻分布在原材料的環(huán)向外圍,并提供高功率分別為1.5 kW和2 kW兩種規(guī)格的系統(tǒng)。此外,在新代高性能激光浮區(qū)爐LFZ的光路設(shè)計(jì)中,采用了Yoshio Kaneko教授的溫度梯度化設(shè)計(jì),能有助于改善晶體生長(zhǎng)過程中的剩余熱應(yīng)變弛豫;除此之外,該系統(tǒng)還采用了Yoshio Kaneko教授的溫度反饋控制閉環(huán)設(shè)計(jì)方案,實(shí)現(xiàn)了溫度的實(shí)時(shí)監(jiān)控與自動(dòng)調(diào)節(jié)。

 

實(shí)例講解:

 

1. 磁性材料Bi2CuO4

 

傳統(tǒng)的磁性記憶合金依賴于雙磁態(tài),如鐵磁體的自旋向上、自旋向下兩種狀態(tài)。增加磁態(tài)數(shù)量,且采用無(wú)雜散場(chǎng)的反鐵磁材料,有望實(shí)現(xiàn)更高容量存儲(chǔ)。近篇發(fā)表于Nature Communications期刊題為Visualizing rotation and reversal of the Néel vector through antiferromagnetic trichroism的工作表明磁電共線反鐵磁Bi2CuO4中不僅具有四個(gè)穩(wěn)定的Néel矢量方向,還存在引人注目的反鐵磁三色現(xiàn)象,即在可見光范圍內(nèi)的磁電效應(yīng)使得吸收系數(shù)隨光傳播矢量和Néel矢量之間的角度變化而取三個(gè)離散值。用這種反鐵磁三色性,該工作可實(shí)現(xiàn)可視化的場(chǎng)驅(qū)動(dòng)Néel矢量的旋轉(zhuǎn)甚至反轉(zhuǎn)[1],為電場(chǎng)調(diào)控和光學(xué)讀取的高密度存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提供可能性。

 

在該篇工作中看,磁性材料Bi2CuO4的制備使用了Quantum Design LFZ1A 激光浮區(qū)法單晶爐。該材料表面張力較低,熔融區(qū)難以控制,早期研究多采用較快的生長(zhǎng)速度,但生長(zhǎng)速度過快往往會(huì)導(dǎo)致微裂隙的存在而影響樣品品質(zhì)。在此,用LFZ1A,通過精細(xì)調(diào)節(jié)生長(zhǎng)條件,實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量單晶的生長(zhǎng),從而實(shí)現(xiàn)了更精細(xì)的磁電性質(zhì)測(cè)量。

 

在晶體生長(zhǎng)的初幾個(gè)小時(shí),為穩(wěn)定熔融區(qū)域,激光電流手動(dòng)調(diào)節(jié)在26.9 - 27.4 A范圍,隨后,便可以切換到自動(dòng)恒溫模式下,生長(zhǎng)速度控制在2.0 mmh-1,進(jìn)料棒和籽晶棒反向旋轉(zhuǎn)10 rpm,實(shí)現(xiàn)晶體的超過24 h的穩(wěn)定生長(zhǎng),而不需要其他的手動(dòng)操作。晶體生長(zhǎng)在流動(dòng)的純氧氣氛中進(jìn)行。

 

圖1. Bi2CuO4的磁性測(cè)量。SQUID面內(nèi)面外磁化率的測(cè)量都表明材料是TN=44K發(fā)生了反鐵磁轉(zhuǎn)變。單晶棒非常容易從Z平面解理開,插圖顯示解理面非常光亮,表明了樣品的質(zhì)量很高[1]

 

2. 燒綠石Nd2Mo2O7

 

燒綠石Nd2Mo2O7中,Mo子晶格呈現(xiàn)出自旋傾斜、近乎共線鐵磁排布,其標(biāo)量自旋手性誘導(dǎo)出巨大的拓?fù)浠魻栃?yīng),可應(yīng)用于霍爾效應(yīng)傳感器。Nd2Mo2O7是種高揮發(fā)性材料,單晶合成需要被加熱到1630℃,MoO2等成分高度揮發(fā),并在生長(zhǎng)石英管內(nèi)壁沉積,導(dǎo)致光源輻照受阻,進(jìn)而導(dǎo)致熔融區(qū)域溫度降低,生長(zhǎng)不穩(wěn)定。得益于LFZ設(shè)備高精度和快速響應(yīng)的溫度控制系統(tǒng),在熔融區(qū)域失穩(wěn)前,迅速增加激光功率,激光光通量密度比鹵素?zé)舾邘讉€(gè)量,因而可以迅速將溫度提升到1100℃,促進(jìn)沉積到石英管內(nèi)壁上的MoO2的再揮發(fā),當(dāng)沉積與再揮發(fā)達(dá)到平衡時(shí),激光加熱功率穩(wěn)定下來(lái),終實(shí)現(xiàn)晶體的穩(wěn)定生長(zhǎng)。

 

近發(fā)表在Physical Review B期刊題為Robust noncoplanar magnetism in band-filling-tuned (Nd1−xCax)2Mo2O7的工作中,Max Hirschberger等人通過Ca2+取代Nd3+來(lái)調(diào)控化學(xué)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了對(duì)Mo子晶格傾斜自旋鐵磁穩(wěn)定性的調(diào)控[2]。

 

 

 

他們用Quantum Design LFZ制備了系列不同組分的厘米尺寸單晶(Nd1−xCax)2Mo2O7(x=0.01, 0.03, 0.05, 0.07, 0.10, 0.15, 0.22, 0.30和0.40)。在氬氣氛下,生長(zhǎng)溫度控制在1630-1700℃,生長(zhǎng)速度為1.8-2 mm/h。對(duì)不同組分單晶的磁性研究證明了在x≤0.15時(shí)傾斜鐵磁態(tài)以及自旋傾角具有穩(wěn)定性。而在x=0.22以上,Mo-Mo和Mo-Nd磁耦合變號(hào),自旋玻璃金屬態(tài)取代傾斜的鐵磁態(tài)。

 

 

圖2, (Nd1−xCax)2Mo2O7不同組分磁化曲線和相圖。左圖:x=0.01, 0.22和0.40的三個(gè)組分單晶的場(chǎng)冷曲線,可以清晰的判斷出傾斜鐵磁態(tài)和自旋玻璃態(tài)的轉(zhuǎn)變溫度。右圖:不同組分獲得的轉(zhuǎn)變溫度總結(jié)的相圖,包括有傾斜鐵磁態(tài)、自旋玻璃態(tài)和順磁態(tài)[2]。高品質(zhì)數(shù)據(jù)的采集得益于高質(zhì)量的單晶樣品和精準(zhǔn)的成分控制。

 

3. 高熔點(diǎn)材料SmB6


SmB6是早發(fā)現(xiàn)的重費(fèi)米子材料之,其研究已經(jīng)有五十多年的歷史。隨著拓?fù)溆虻陌l(fā)展,近幾年人們發(fā)現(xiàn)SmB6是種拓?fù)浣倬夡w。它的電緣性來(lái)自于強(qiáng)關(guān)聯(lián)的電子相互作用,不僅如此,它的緣態(tài)存在能帶反轉(zhuǎn),具有拓?fù)浞瞧接箤傩?,表面?huì)出現(xiàn)無(wú)能隙拓?fù)浔砻鎽B(tài)。由于體態(tài)*緣,這個(gè)表面態(tài)可以用來(lái)做新型二維電子器件[3]。

 

對(duì)SmB6拓?fù)浜偷蜏匦再|(zhì)的準(zhǔn)確探索,離不開高質(zhì)量的材料,但因?yàn)樵摬牧系母呷埸c(diǎn)(2350℃),很難通過常規(guī)手段獲得。而Yoshio Kaneko等人應(yīng)用Quantum Design LFZ實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)SmB6的生長(zhǎng)。生長(zhǎng)條件:1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的氬氣氛,氣體流速2000 cc/m,生長(zhǎng)速率20 mm/h。

 

 

圖3. SmB6單晶形貌圖和勞厄衍射圖。SmB6單晶表面如鏡面般光亮,晶體(111)面的勞厄斑體現(xiàn)了很好的三重對(duì)稱性,佐證了樣品的高品質(zhì),適用于拓?fù)湫再|(zhì)的精細(xì)測(cè)量[4]

 

總結(jié)

 

綜上,Quantum Design新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐(LFZ)與傳統(tǒng)浮區(qū)法單晶生長(zhǎng)系統(tǒng)相比,*的激光光路可實(shí)現(xiàn)更高功率、更加均勻的能量分布和更加穩(wěn)定的性能。LFZ將浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)技術(shù)推向個(gè)全新的高度,可廣泛應(yīng)用于制備紅寶石、SmB6等高熔點(diǎn)材料,Ba2Co2Fe12O22等不致熔融材料,以及Nd2Mo2O7、SrRuO3等高揮發(fā)性材料,為凝聚態(tài)物理、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)等多種學(xué)科域提供了豐富的高品質(zhì)單晶儲(chǔ)備,使得更精細(xì)的單晶性質(zhì)測(cè)量和表征成為可能。

 

 

圖4. 新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐LFZ外觀圖(左)和原型機(jī)中被五束激光加熱的原料棒(右)。

 

參考文獻(xiàn): 

[1]. K. Kimura, Y. Otake, T. Kimura, Visualizing rotation and reversal of the Neel vector through antiferromagnetic trichroism. Nat Commun 13, 697 (2022).

[2]. M. Hirschberger et al., Robust noncoplanar magnetism in band-filling-tuned (Nd1−xCax)2Mo2O7Physical Review B 104,  (2021).

[3]. N. Kumar, S. N. Guin, K. Manna, C. Shekhar, C. Felser, Topological Quantum Materials from the Viewpoint of Chemistry. Chem Rev 121, 2780-2815 (2021).

[4]. Y. Kaneko, Y. Tokura, Floating zone furnace equipped with a high power laser of 1 kW composed of five smart beams. Journal of Crystal Growth 533, 125435 (2020).

 

相關(guān)產(chǎn)品

1、新代高性能激光浮區(qū)法單晶爐-LFZ

http://www.syzwkj.com/product/detail/32086238.html

 

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