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WZP-1212U-薄膜鉑熱電阻|WZP-1212U|
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更新時(shí)間:2024-06-02 21:00:05

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WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻2.熱響應(yīng)時(shí)間 在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻的詳細(xì)介紹
WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻
熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
WZP1212U薄

 

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻2.熱響應(yīng)時(shí)間 在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。


 

WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻
的詳細(xì)介紹
WZP-1212U|薄膜鉑熱電阻
熱電阻的工作原理:在溫度的作用下,電阻絲的電阻隨之變化而變化??捎糜跍y(cè)量 -200℃~﹢800℃范圍內(nèi)的溫度。其優(yōu)點(diǎn)是:偏差極小。由于它的良好電輸出性能,熱電阻可為顯示儀、記錄儀、調(diào)節(jié)儀、掃描儀及電腦提供精確的輸入值。
  WZP1212U薄膜鉑熱電阻,WZP-1212U,的詳細(xì)資料:
1.              測(cè)溫范圍、允差

名稱
型號(hào)
分度號(hào)
測(cè)溫范圍
等級(jí)
允許偏差
鉑電阻
WZP
Pt100
Pt10
-200~±650
A
±(0.15+0.02t)
B
±0.30+0.005t
銅電阻
WZC
Cu50
Cu100
-50~+150
 
±(0.30+0.006t)

2.熱響應(yīng)時(shí)間
   在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過(guò)電流1mA,zui大測(cè)量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
 
4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差

名稱
等級(jí)
α
α
鉑電阻
A
0003851
±0.000006
B
±0.000012
銅電阻
 
0004280
±0.000020

5.絕緣電阻
     當(dāng)周圍空氣溫度15-35和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ
 
薄膜鉑電阻元件
一、         概述
      CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過(guò)激光調(diào)阻制成,*自動(dòng)的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、         技術(shù)特點(diǎn)
1.              薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。
2.              鉑薄膜通過(guò)激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3.              薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。
4.              引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5.              規(guī)格:

型號(hào)
規(guī)格
長(zhǎng)×寬×高
阻值
測(cè)量電流
精度
測(cè)量范圍
熱響應(yīng)時(shí)間
CRZ-1632
3.2×1.6×1.0
PT100
PT100
1mA
A
-50~550℃
0.3S
CRZ-2005
5.0×2.0×1.1
PT50
2mA
A
-50~400℃
CRZ-2005
5.0×2.0×1.0
PT10
0.5mA
B
-50~500

6.              精度:

等級(jí)
α
0時(shí)的電阻值(Ω)
允許偏差(Ω)
A
 0.003851
100.00
±0.150+0.002t
B
0.003851
100.00
±0.30+0.005t

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