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摻雜類型：

N type

半絕緣型

產(chǎn)品定位邊：

C軸<0001>+/-1.0°

常規(guī)尺寸：

dia2"

dia2"

厚度：

15um,20um,30um,40um

30um,90um

電阻（300K)：

<0.05Ω.cm

>106 Ω.cm

位錯密度：

 <1x108 cm-2

 <1x108 cm-2

襯底結(jié)構(gòu)：

 GaN on Sapphire

 GaN on Sapphire

有效面積：

>90%

>90%

拋光：

單拋或者雙拋

單拋或者雙拋