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對更強(qiáng)大、更快速的電子設(shè)備（智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動(dòng)了集成電路（IC）芯片 和半導(dǎo)體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實(shí)現(xiàn)更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數(shù)量已經(jīng)增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機(jī)污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產(chǎn)量以及電子組件的性能和可 靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。

在半導(dǎo)體加工過程中，需要使用光刻膠來對晶圓進(jìn)行刻蝕。一旦刻蝕形成，就必須去除光刻膠以進(jìn)行進(jìn)一步的加工，但通常 會(huì)留下光刻膠殘留物和其他有機(jī)污染物。在晶圓、掩模、墊片和半導(dǎo)體組件的表面上可以發(fā)現(xiàn)許多不同類型的有機(jī)污染物。 典型的例子包括光刻膠殘留物、外來有機(jī)顆粒和液體、灰塵以及來自材料的纖維。另一個(gè)常見的有機(jī)污染源是人體頭發(fā)、皮 簡介 對更強(qiáng)大、更快速的電子設(shè)備（智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動(dòng)了集成電路（IC）芯片 和半導(dǎo)體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實(shí)現(xiàn)更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數(shù)量已經(jīng)增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機(jī)污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產(chǎn)量以及電子組件的性能和可 靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。 膚碎屑和來自皮膚的油脂物質(zhì)。

因此，隨著半導(dǎo)體圖案尺寸的縮小和集成電路（IC）制造量的增加，晶圓表面上的光刻膠殘留物和有機(jī)污染物問題變得越來 越嚴(yán)重。IC的密度在增加，因此在生產(chǎn)過程中保持清潔表面至關(guān)重要。光學(xué)顯微鏡通常用于晶圓檢查，并且在生產(chǎn)過程中高 效地可視化少量殘留污染物方面，相比于明場或暗場等其他照明方法，熒光顯微鏡具有優(yōu)勢[4] 在半導(dǎo)體加工過程中，需要使用光刻膠來對晶圓進(jìn)行刻蝕。一旦刻蝕形成，就必須去除光刻膠以進(jìn)行進(jìn)一步的加工，但通常 會(huì)留下光刻膠殘留物和其他有機(jī)污染物。在晶圓、掩模、墊片和半導(dǎo)體組件的表面上可以發(fā)現(xiàn)許多不同類型的有機(jī)污染物。 典型的例子包括光刻膠殘留物、外來有機(jī)顆粒和液體、灰塵以及來自材料的纖維。另一個(gè)常見的有機(jī)污染源是人體頭發(fā)、皮 簡介 對更強(qiáng)大、更快速的電子設(shè)備（智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動(dòng)了集成電路（IC）芯片 和半導(dǎo)體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實(shí)現(xiàn)更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數(shù)量已經(jīng)增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機(jī)污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產(chǎn)量以及電子組件的性能和可 靠性產(chǎn)生負(fù)面影響。 膚碎屑和來自皮膚的油脂物質(zhì)。 。

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