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晶圓蝕刻清洗機(jī)CES是ULTRA晶圓蝕刻清潔系統(tǒng),滿足晶片、光掩模和基板蝕刻清洗特定工藝需求。
晶圓蝕刻清洗機(jī)CESx124、126、128或133非常適合蝕刻和清潔從小直徑到超大直徑的各種尺寸的晶片、光掩模和基板。晶圓蝕刻清洗機(jī)CESx可配置多個(gè)過(guò)程分配選項(xiàng)，從用于DI-H2O或化學(xué)的Megasonic噴嘴；用于化學(xué)配藥的低壓噴嘴；化學(xué)和DI-H2O加熱器；用于表面攪拌以加速反應(yīng)的刷子和/或DI-H2O；還有更多。
晶圓蝕刻清洗機(jī)可編程拋物線臂運(yùn)動(dòng)有助于確保均勻蝕刻?？焖儆行У母稍锛夹g(shù)結(jié)合了可變的旋轉(zhuǎn)速度；可選加熱的DI-H2O；和氮輔助。該晶圓蝕刻清洗機(jī)非常安全，具有“沖洗至pH"功能，可在接觸基質(zhì)之前去除腔室內(nèi)的任何化學(xué)物質(zhì)。

適合直徑不超過(guò)9x9英寸/300mm直徑的基片
•具有無(wú)刷伺服電機(jī)的主軸組件用于精確的速度控制和分度。
•擺動(dòng)式分配臂，速度可調(diào)&行程位置&可編程拋物線行程。
•徑向排氣室，最大層流在蓋的頂部與N2進(jìn)料一起流動(dòng)。
•用于清潔和干燥輔助的DI-H2O加熱器。
•微處理器控制，能夠保持三十（30）個(gè)食譜在內(nèi)存中有三十（30）個(gè)步驟。
•用清水沖洗至整個(gè)工藝區(qū)域和基材的pH值聯(lián)鎖裝置禁止進(jìn)入工藝區(qū)和控制區(qū)排水和主軸速度，直到安全。
•按鈕蓋打開/關(guān)閉。
•觸摸屏圖形用戶界面（GUI），易于操作帶有屏幕錯(cuò)誤的編程和安全鎖定報(bào)告。
•用于化學(xué)品和室內(nèi)排水的排水分流器。
•設(shè)計(jì)符合SEMI S2/S8指南，占地面積小，寬28英寸，深24英寸，包括：集成式DI H2O加熱器；化學(xué)品儲(chǔ)存二級(jí)安全殼。面向所有人的前臺(tái)服務(wù)訪問(wèn)組件。尺寸不包括后面板設(shè)施和連接