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引言
轉(zhuǎn)換效率促使FPGA系統(tǒng)設計師從線穩(wěn)壓器轉(zhuǎn)向使用開關模式直流-直流轉(zhuǎn)換器。雖然開關模式直流-直流轉(zhuǎn)換器能夠顯著提率,但卻需要復雜的結(jié)構(gòu)設計,多的部件數(shù)量和大的覆蓋區(qū);為明顯的是,對速輸入/輸出單元來說,開關模式直流-直流轉(zhuǎn)換器就等于噪聲源。
本文描述了開關模式直流-直流轉(zhuǎn)換器的噪聲分量,同時說明PowerSoC如何將各分量降至zui低。本文也進步用設計示例來說明PowerSoC如何令速輸入/輸出單元具有與線穩(wěn)壓器媲美,甚至*的能。
降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器簡單模型
對MOSFET開關、電感器,以及輸入和輸出濾波電容即可組成個簡易的同步開關模式直流-直流轉(zhuǎn)換器模型。圖1為轉(zhuǎn)換周期中的轉(zhuǎn)換器及其相關的直流和交流電流通路。當SW1 閉合時(SW2開啟),電流從電源流經(jīng)電感器到達負載,輸入和輸出濾波電容實現(xiàn)頻交流電流的"分流".當SW2閉合時(SW1開啟),電感器儲存的電能在轉(zhuǎn)換周期的后半段為負載提供電流。開啟和閉合開關的動作以及頻交流電流的流動都會產(chǎn)生噪聲。
圖1:同步降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器簡化模型之完整轉(zhuǎn)換周期。紅色實線表示"直流"電流的流動方向,而紅色虛線表示頻交流電流的流動方向。
直流-直流噪聲關鍵分量和降噪策略
降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器地將直流電壓"分成"交流電壓,然后轉(zhuǎn)換回到偽直流電壓。此過程產(chǎn)生了四種不同的噪聲:1) 轉(zhuǎn)換器直流輸出側(cè)的紋波電壓,2) 轉(zhuǎn)換器輸入電源側(cè)的紋波電壓,3) 輻射電磁干擾,和4)傳導電磁干擾。
輸出電壓紋波
每個被動元件除了本身的基本功能(電阻、電容、電感)外,還具有另外兩個寄生元素:如果是電容,即為等效串聯(lián)電阻 (ESR) 和等效串聯(lián)電感 (ESL);如果是電阻,則是等效串聯(lián)電感和等效并聯(lián)電容。
輸出紋波是交流紋波電流分流或流經(jīng)輸出濾波電容時的副產(chǎn)物。圖2展示了小型的輸出濾波電容信號模型,和該模型各成分對輸出紋波波形的作用。請注意輸出濾波電容的ESL是由PCB引線的寄生電感和轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部寄生電感結(jié)合形成。ESL通過感應"振動"產(chǎn)生頻信號。
圖2:輸出電壓紋波分量和來源
大多數(shù)直流-直流轉(zhuǎn)換器供應商的數(shù)據(jù)表顯示了低通濾波紋波的波形,因此通常無法穩(wěn)定指示給定應用情況中PCB上測量得到的實際紋波。
降噪策略
基本而言,要降低輸出紋波可通過減小紋波電流和 / 或降低電容器 的ESR和ESL以及PCB引線的ESL.
●在開關頻率較的側(cè)操作將降低給定電感值的紋波電流,從而可以使用較小且ESR/ESL較低的陶瓷電容。但開關頻率的升會增加MOSFET開關的開關損耗,并影響效率。
●將多個電容并聯(lián)可降低ESR/ESL,就如將電阻并聯(lián)以降低其合成電阻樣。隨著電容個數(shù)增加,PCB ESL增加,其效果受到,并且將增加轉(zhuǎn)換器的消耗。
●使用小尺寸的濾波元件(電感器和電容)可以減少PCB的長度,從而降低PCB ESL.可惜小尺寸的電感器通常會導致紋波電流較大,但不增加開關頻率。
●使用兩濾波,例如在直流-直流輸出濾波段和目標負載之間使用鐵氧體磁珠和電容。這種方法的缺點在于額外的致?lián)p耗元件將影響調(diào)壓效果,并可能降低效率。
輸入電壓紋波
隨著SW1 MOSFET打開和閉合,電流從電源(VIN)流出,形成近似矩形的脈沖波形。上升和下降時間快,大約幾毫微秒。
與由輸出濾波電容和PCB引線ESL產(chǎn)生的輸出紋波相似,輸入濾波電容ESR和ESL,以及電源PCB引線ESL產(chǎn)生輸入紋波。然而,隨著電流時間比(di/dt)的變化增大,輸入電流紋波幅度要大的多。因此,PCB電感的影響為重要,而輸入濾波電容必須耐受的RMS電流。又大又快的開關電流也是傳導和輻射EMI(稍后將探討)的主要來源。
降噪策略
●與輸出濾波電容樣,在開關頻率較的側(cè)操作將可以使用較小且ESR/ESL較低的陶瓷輸入濾波電容。同樣應注意開關損耗將變大。
●將輸入濾波回路中的寄生電感降至zui低。這主要通過將濾波電容盡可能靠近直流-直流轉(zhuǎn)換器,以及盡可能短且寬的PCB引線來實現(xiàn)。通常不得將輸入濾波電容安裝在PCB的對邊且通過vias與直流-直流轉(zhuǎn)換器連接,否則會將大量電感引入電流回路中。
輻射EMI
●又大又快的開關電流流經(jīng)輸入交流電流回路會產(chǎn)生輻射EMI.如電磁場課程所述,環(huán)形天線的輻射效率是回路半徑相對于輻射波長的函數(shù)。
●公式1列出了環(huán)形天線輻射產(chǎn)生的功率與半徑r和波長λ的關系;h是自由空間常數(shù)。請注意回路半徑存在r8關系,而波長存在λ4的關系。因此,在頻率較的側(cè)操作的顯著優(yōu)點是可使用較小尺寸的元件,以縮小輸入電流回路半徑。
降噪策略
減少輸入交流電流回路的半徑。通過在較頻率側(cè)開關以使用較小尺寸的陶瓷濾波電容,即可達到此目的。同樣應注意,如上文所述,開關頻率越,開關損耗也越大。
傳導EMI
傳導EMI有兩個主要來源:先是輸入電壓干線產(chǎn)生的開關輸入電流,它會造成電源紋波(差模)和接地彈跳(共模)EMI;其次則是在電路板PCB引線上的電感器磁通泄漏耦合。
降噪策略
●使用大小合適的輸入濾波電容供應或過濾頻交流電源,以便盡可能降低電源干線上的電流。
●將輸入交流電流回路中的寄生電感和 ESL 降至zui低。這可以通過在開關頻率較的側(cè)操作實現(xiàn),這樣就可以使用低 ESL 的陶瓷電容器,從而縮小回路半徑。需要再次強調(diào)的是開關頻率越,開關損耗也越。
●讓輸入濾波電容的 PCB 引線盡可能短且寬以降低引線電感。
●使用式電感器以降低磁漏。
PowerSoC作為降噪策略
Enpirion于2004年推出*個PowerSoC .PowerSoC在單個IC套件中集成了完整的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,包括器、柵驅(qū)動器、MOSFET開關、頻去耦,以及zui重要的電感器。大多數(shù) PowerSoC 只需要輸入和輸出濾波電容,因此整個解決方案既簡單又輕巧。
●使用的深亞微米頻 LDMOS 既可實現(xiàn)低開關損耗,又能集成整套的、驅(qū)動和開關元件。低開關損耗可以實現(xiàn)開關頻率,例如 5MHz.
●、磁導率、小體積的磁元件可以實現(xiàn)zui低的交流損耗和低直流電阻。小體積的磁元件和磁結(jié)構(gòu)具有自特,可以降低磁漏。開關頻率則允許使用尺寸小的電感器。
●開關頻率還允許使用小型的輸入和輸出濾波電容,這樣來,可以縮小輸入和輸出交流回路的尺寸,從而降低紋波和 EMI.
●套件布線經(jīng)過設計可進步縮小輸入和輸出交流濾波回路的半徑,從而盡可能降低輻射和傳導 EMI 以及紋波。
●套件設計包括射頻,旨在盡可能降低內(nèi)部電路元件內(nèi)的寄生阻抗以保持套件內(nèi)的頻交流電源。
PowerSoC結(jié)果與離散實現(xiàn)方案
圖3–6展示了 PowerSoC 與離散式直流 - 直流轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)方案的對比結(jié)果。
圖3:4A大小的轉(zhuǎn)換器解決方案區(qū)域?qū)Ρ?。PowerSoC(左圖)的輸入和輸出交流電流回路小,相當于離散式實現(xiàn)方案尺寸的1/7.
黃色虛線方框表示PowerSoC尺寸和離散式直流-直流轉(zhuǎn)換器的對比結(jié)果。
圖4:PowerSoC(左圖)與離散式直流-直流轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)方案(右圖)的輸出紋波電壓對比。二者使用相同的設備和在供應商評估板上測量紋波。測量帶寬為500MHz.
圖5:輻射EMI測量結(jié)果;CISPR22 B等3m.左圖為PowerSoC,右圖為離散式實現(xiàn)方案,均在供應商評估板上測量得出。
圖6:輸入接地端子上測量的傳導干擾
采用Enpirion PowerSoC的供電Rocket IO應用實例
設計制造的子板插到Virtex 5開發(fā)板上(圖7)。對采用Enpirion裝置驅(qū)動的開發(fā)板和線穩(wěn)壓器執(zhí)行同樣的抖動測量。分別測量Enpirion PowerSoC有兩濾波和無兩濾波的效果。抖動測量結(jié)果如表1所示。
表1. Rocket IO的抖動測量結(jié)果
圖7:帶Enpirion PowerSoC的子板
結(jié)論
對FPGA設計師而言PowerSoC強效的工具。這種裝置能夠減少從基于線穩(wěn)壓器的電壓轉(zhuǎn)換器向的開關模式轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)變過程中面臨的諸多問題。 PowerSoC具有和線穩(wěn)壓器相似的覆蓋區(qū)域,易于設計,同時也擁有開關模式轉(zhuǎn)換器的率,卻可免去離散式轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)方案的噪聲和復雜度。
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