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隨著納米技術的發(fā)展，納米顆粒在各類產品和工藝中得到了廣泛應用，人們對納米顆粒的表征要求也越來越高。

 

針對各類產品和工藝，人們制造且應用了不同成分的納米顆粒，如油漆、材料的強化、半導體工藝中的精細拋光，以及對藥品和食品的除濕，防止其受潮。二氧化硅（SiO₂）納米顆粒是日本第二大國產納米材料，僅次于炭黑。¹

 

使用 ICP-MS 測量硅（Si）富有挑戰(zhàn)性。等離子體中形成的 ¹⁴N₂+和 ¹²C¹⁶O+ 多原子離子，與豐度最高的 Si 同位素（²⁸Si ≈ 92 %豐度）的 m/z 相同。因此，當多原子離子未被去除時（標準模式下），m/z28 處的背景等效濃度非常高。它抑制了低水平 Si 的測定，讓 SiO₂ 納米顆粒的檢測變得更加困難。此外，Si 的電離勢相對較高，其電離也更具挑戰(zhàn)性，導致其強度低于其它易電離的元素，如 Na。

 

然而，如果能提高信背比（S/B），就有可能檢測到更小的 SiO₂ 納米顆粒。在之前的應用報告中，² 我們介紹過 100 nm SiO₂ 納米顆粒標準品可以使用 SP-ICP-MS 進行分析，且無需去除干擾（標準模式 下）。然而，如果能在反應模式下去除干擾，預期能精準測量更小的 SiO₂ 納米顆粒。

 

本工作將討論在反應模式下，通過 SP-ICP-MS 檢測、測量和表征 SiO₂ 納米顆粒的能力。