振動樣品磁強計（VSM）簡介
一． 概述：
作為物質(zhì)（特別是鐵磁性材料）內(nèi)稟磁性檢測的通用設(shè)備，振動樣品磁強計（VSM）因其投資小、堅固耐用，特別是運轉(zhuǎn)費用極低等顯著優(yōu)點而被世界各國廣泛運用于科研、教學和生產(chǎn)檢測等眾多領(lǐng)域，為人類的科技進步作出了巨大貢獻。其工作原理大體如圖所示。

其中，驅(qū)動元w的功率輸出饋給振動子v，以使振桿p帶動被外磁化場He磁化了的樣品s做小幅正弦式上下振動，探測線圈C所“感知”到的樣品s的信號電壓輸出饋給相關(guān)接受放大系統(tǒng)（-K）。磁場探測單元G的輸出VH與（-K）放大單元的輸出VJ同相位地一并饋給數(shù)據(jù)處理單元D。從而當He變化一個周期后，D即可繪出樣品s的J-He曲線，此處的J定義為樣品s的總磁矩，即J=MV=σm，其M、V、σ、m分別表示樣品s的磁化強度，體積，比（質(zhì)量）磁化強度及質(zhì)量。D所處理的是兩路電壓信號，即（-K）一路代表磁矩而G一路代表相對應的外磁化場He，因此必須特別注意zui后繪制出的J-He曲線（或M-He、σ-He）未必能正確表示所測樣品s的磁特性，因為VSM為開磁路測量，其所記錄的磁化場He未必就是樣品s的內(nèi)磁場，要想得到s的真實磁化強度與內(nèi)磁場Hi的函數(shù)關(guān)系，必須將所測得的He轉(zhuǎn)化成Hi，并將所測J-He曲線轉(zhuǎn)化成J-Hi曲線——此曲線才是樣品s的真實特性。要做到這點，就必須預知樣品s的在He方向上的退磁因子N，利用Hi=He-NM關(guān)系逐點求出與（MHe）相對應的坐標點（MHi），從而繪成M-Hi（或J-Hi）曲線，并可利用B=Hi+4πM的關(guān)系式繪制出技術(shù)參量B-Hi曲線，由此曲線求得諸如硬磁材料樣品s的剩磁Br、矯頑力BHc、zui大磁能級（BHi）max等磁學量。要做到以上幾點，關(guān)鍵是要知道s在被測方向上的N，而這在一般情況下是辦不到的。通常在旋轉(zhuǎn)橢球體及其退化形式如球形、薄膜形、線形等特殊形狀的樣品時，方能夠用VSM準確測出內(nèi)稟磁性與內(nèi)磁化場的函數(shù)關(guān)系，并可由此關(guān)系推演出有關(guān)技術(shù)參量（即Ｂ-Hi）。從此點也可說VSM的*功能是測材料的飽和磁化強度，不提先決條件而夸大VSM功能的宣傳內(nèi)容都是不可取的。
VSM有一項衡量其水平高低的主要技術(shù)指標：zui高靈敏度。此數(shù)值應指在特定條件下（主要是指磁極與樣品的距離以及外磁化場He的大?。┰撛O(shè)備所能探測到的樣品zui小信號，即小于此數(shù)值的信號將被淹沒在背景噪音中而無法檢測出。
一般而論，磁極間距越小，磁極越靠近樣品，靈敏度將越高，但隨之而來的則導致磁場鞍部區(qū)變窄,測試結(jié)果的重復性降低,不可靠性增大，這是我們不希望出現(xiàn)的現(xiàn)象..而要改變此情況，就必須將檢測線圈間距增加（即磁極間距增大），但此時將導致zui高靈敏度的下降。因此，被測信號的可信賴度與系統(tǒng)的zui高靈敏度是互相矛盾的，單強調(diào)一方面顯然是不恰當?shù)摹Ａ硗?，較小的磁極間距無法作變溫測量。我廠產(chǎn)品的磁極間距為50mm，檢測線圈間距為30mm，常溫與高、低溫測量都是在此條件下進行，這既保證了測試結(jié)果的可靠性，又保證了具有足夠高的靈敏度（5-3×10-5emu）。
下圖是我廠產(chǎn)品中檢測線圈間距與zui高靈敏度間的實測結(jié)果:

He越大則可能導致背景噪音增大從而zui高靈敏度下降，這實際上是磁場電源質(zhì)量好壞的一種體現(xiàn)。我廠產(chǎn)品的zui高靈敏度測試條件是在額定zui高磁場的80%內(nèi)測量。
故而，凡不提前提條件而僅表述VSM的zui高靈敏度，是有誤導使用者之嫌。另外，zui高靈敏度是以背景噪音的尺度來衡量的，因而，對噪音的標度方法不同（采用均方值？峰-峰值？），即使是同一設(shè)備，其結(jié)果也不同。我單位采用的是峰-峰值標度方法。

二．本廠生產(chǎn)的VSM型式規(guī)格：
1．低場型（LH型）
利用無鐵芯線圈對產(chǎn)生磁化場，zui大值為±400 Oe；無觸點平滑過零自動掃描電源，有手動、自動兩種工作模式，在自動狀態(tài)下可以人為控制掃描速度。特點為無電磁鐵型的剩磁效應，操作空間大，磁場均勻空間廣，特別適合特軟磁性薄膜的測量工作。由于其探頭可隨時移出工作區(qū)，因而可適合特軟薄膜磁電阻效應的測量。（諸如GMR、TMR、AMR、鐵磁/反鐵磁交換偏置效應等的研究工作）。
由于其投資少，還特別適合高年級學生及研究生的實驗教學工作。
技術(shù)參數(shù)及特點：Hmax=±400 Oe，在此范圍內(nèi)可任意調(diào)節(jié)、且不用高斯計檢測磁場。樣品所處空間位置可由振動頭三維調(diào)節(jié)，故極易將樣品置于*工作點，zui高靈敏度3~5×10-5emu（探測線圈間距30mm時）；探測線圈間距可人為隨時調(diào)整，以適用不同需要。由于探測線圈可方便地移離工作區(qū)而將均勻磁場區(qū)出空，故在配以磁電阻測量單元時，可方便地進行MR的檢測工作，可作教學設(shè)備。配以兩路數(shù)據(jù)處理單元以實現(xiàn)實時曲線的觀察、記錄和保存；可配變溫裝置以實現(xiàn)變溫測量。

銷售記錄

2.電磁鐵型（HH型）
電磁鐵配以可調(diào)大功率自動掃描電源以獲取所需外磁化場，樣品驅(qū)動單元直接架設(shè)在電磁鐵磁軛上以實現(xiàn)造型的美觀化，且可調(diào)節(jié)樣品的任意被測方向，以實現(xiàn)各向異性的檢測需求。磁場強度及靈敏度檔次可由用戶自行決定。
技術(shù)規(guī)格及特點：
1、磁化場由電磁鐵和高穩(wěn)定度、低紋波系數(shù)的自動平滑過零掃描電源聯(lián)合提供，同時，電源設(shè)有手動調(diào)節(jié)模式，可設(shè)置在所需穩(wěn)恒磁場的恒流狀態(tài)下測量；在自動掃描模式狀態(tài)，能在設(shè)定的磁化場范圍內(nèi)，通過選定的掃描速度而實現(xiàn)在該磁場范圍內(nèi)的自動掃描。目前，zui高磁場強度有2×104Oe、1.5×104Oe、1×104Oe等可供選擇；
2、振動頭（即前述的V）可在三維方向調(diào)節(jié)振桿（P）的位置，因而可將樣品（s）置于*工作點。
3、磁場大小由多檔高斯計直接測量，其表頭直接顯示實際磁場大小并將相應信號饋給數(shù)據(jù)處理單元，以實現(xiàn)與磁矩測量單元一 一對應的實時數(shù)字化記錄。
4、檢測線圈由相應機構(gòu)緊壓在兩極面上，其檢測線圈zui大間距為30mm，以保證該系統(tǒng)可以實現(xiàn)變溫測量。且可隨時取下檢測線圈以讓出zui大的可利用磁場空間作其他用處（如MR測量等）。磁矩測量信號和與其對應的其他信號（磁場、溫度等）可通過電腦化X-Y記錄儀實現(xiàn)計算機數(shù)據(jù)處理。
在上述檢測線圈間距以及磁化場≤104Oe的情況下，背景噪音峰-峰值（即zui高靈敏度）優(yōu)于3~5×10-5emu，本廠也可根據(jù)客戶需求，提供價格較便宜的高場、更高靈敏度但非變溫型VSM

銷售記錄

正在調(diào)試單位：南京工業(yè)大學
正在制造單位：安徽工業(yè)大學、集美大學

三、選配件
1、薄膜磁電阻測量系統(tǒng)：采用差值法測量MR以實現(xiàn)△R/R≤0.1％的高靈敏測量；樣品夾具可帶動樣品做360o轉(zhuǎn)動以實現(xiàn)不同方向上的MR觀察，特別適合配在本場生產(chǎn)的LH型VSM上。
　 2、變穩(wěn)裝置；
①高溫－采用鉑絲作為發(fā)熱元件，水體冷卻以保證在zui高600℃的情況下爐體外表仍為室溫，有效地保護VSM的檢測線圈不受到傷害，且不致產(chǎn)生因檢測線圈所處溫度不同導致的定標常數(shù)的變化。此系統(tǒng)采用手控調(diào)節(jié)的方法，以保證在導入爐體后，VSM整體靈敏度不出現(xiàn)下降的現(xiàn)象。以上兩點有效地克服了高溫測量時所出現(xiàn)的一些通病，可作為居里溫度（可自動記錄）和內(nèi)稟磁性隨溫度變化規(guī)律的檢測。
②低溫—采用溫度梯度法，可實現(xiàn)室溫至77oK的測量。非溫控型。

LH-3型

HH-型