系統(tǒng)利用一個(gè)寬頻譜的鹵素?zé)糇鳛楣庠?，反射光被特別設(shè)計(jì)的積分球收集并探測(cè)，積分球通過光纖與一個(gè)高精度光譜儀連接。不管樣品表面是絨面還是拋光面，所有的反射光和散射光都會(huì)被收集測(cè)量，整體光譜反射率的值及變動(dòng)情況可以用來管控硅片的制絨工藝，同時(shí)可以測(cè)量出鍍膜硅片的總的反射損失。通過標(biāo)準(zhǔn)邏輯運(yùn)算，可計(jì)算出在不同顏色空間的顏色值，如Lab，xyY顏色空間等。

薄膜的上表面和下表面反色光由于相位不同而發(fā)生干涉，干涉光譜的頻率與膜厚是成正比的。這種現(xiàn)象用來計(jì)算硅片的膜厚。的計(jì)算方法是通過擬合測(cè)量光譜和薄膜理論光譜，使其吻合，計(jì)算出薄膜的實(shí)際厚度。

■ 全波段整體反射率測(cè)量
■ 任意波段zui小反射率及對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)測(cè)量
■ 自定義單一波長(zhǎng)反射率測(cè)量
■ 任意波段平均反射率測(cè)量
■ 鍍膜膜層厚度測(cè)量
■ 色度計(jì)算
■ 集成參考校正片
■ 用戶自定門限設(shè)置
■ Goog/Bad指示
■ 手動(dòng)單軸測(cè)試臺(tái)
■ 手動(dòng)全硅片Mapping
■ 測(cè)量速度快, <0.8s /點(diǎn)
■ 可以提供第三方認(rèn)證標(biāo)片（選項(xiàng)）
■ 裸片和鍍膜片的測(cè)量:
     -離線
     -非接觸式
     -靜態(tài)單點(diǎn)測(cè)量
■ 測(cè)量參數(shù):
     -反射率: r（全光譜）
     -色度: c（Lab, xyY , ...）
     -膜厚 r（鍍膜片）
■ 應(yīng)用范圍:
     -多晶（拋光、粗糙、絨化）
     -單晶（拋光、粗糙、絨化）
     -125mm×125mm / 156mm×156mm
■ 應(yīng)用在所有向光制絨工藝
     -化學(xué)蝕刻（酸/堿）
     -RIE（離子反應(yīng)蝕刻）
■ 操作簡(jiǎn)單
     -只需點(diǎn)擊測(cè)量按鈕，即出測(cè)量結(jié)果
     -手動(dòng)單軸移動(dòng)測(cè)試臺(tái)，可全硅片Mapping
     -線性掃描簡(jiǎn)單

■ 測(cè)量參數(shù): 反射率/膜厚/色度
■ 反射率范圍: 0-*
■ 波長(zhǎng)范圍: 380-1070nm
■ siN膜厚: 25-120nm
■ siO膜厚: 35-169nm
■ 反射率精度: ±0.1%
■ 反射率重復(fù)性: <0.05%
■ 膜厚精度:±1nm
■ 膜厚重復(fù)性: ±0.2nm
■ 色度表達(dá): Lab/xyY/XYZ/Lch
■ 色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
■ 色度重復(fù)性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
■ 測(cè)量光斑: ~8mm
■ 測(cè)量速度: 0.8s/點(diǎn)
■ 硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圓形或更小
■ 樣品臺(tái): 310*160mm
■ 環(huán)境溫度: 15-35℃
■ 濕度: <90%
■ 電源: AC100-240;50/60Hz
■ PC要求: WindoP, 2GB RAM, >100GB HDD

硅片	鍍膜后