氧化硅薄膜窗特點(diǎn)：
清洗：采用等離子清洗，無有機(jī)物殘留，改善成像質(zhì)量；
均勻性：減少了不同區(qū)域的不均勻性；
穩(wěn)定性： 耐高溫，>1000℃；
良好的化學(xué)穩(wěn)定性：圖像分辨率和機(jī)械強(qiáng)度達(dá)到理想的平衡；
化學(xué)計(jì)量比的SiO2：可用于氮?dú)猸h(huán)境下的EDX分析；
氧化硅薄膜窗規(guī)格
| 窗口類型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 | 報(bào)價(jià)/USD |
| | 20nm | 2x1陣列，100X1500µm | Φ3mm | 200µm | ￥120.00 |
| 40nm | 2x1陣列，100X1500µm | Φ3mm | 200µm | ￥150.00 |
| | 20nm | 3x3陣列，窗口100X100µm | Φ3mm | 200µm | ￥200.00 |
| 40nm | 3x3陣列，窗口100X100µm | Φ3mm | 200µm | ￥150.00 |
| | 8nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個(gè)網(wǎng)格，網(wǎng)格大小70x70µm | Φ3mm | 200µm | ￥425.00 |
| 18nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個(gè)網(wǎng)格，網(wǎng)格大小60x60µm | Φ3mm | 200µm | ￥350.00 |
| 40nm | 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個(gè)網(wǎng)格，網(wǎng)格大小50x50µm | Φ3mm | 200µm | ￥295.00 |
氧化硅與氮化硅薄膜窗格比較：
相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更適合用于含氮樣本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，則會與樣本造成混淆。
優(yōu)點(diǎn)：
- SEM應(yīng)用中，薄膜背景不呈現(xiàn)任何結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)。
- x-射線顯微鏡中，裝載多個(gè)分析樣的*方法。
- 無氮
應(yīng)用：
氧化硅薄膜應(yīng)用范圍非常廣，甚至有時(shí)使不可能變?yōu)榭赡?，但所有?yīng)用都有無氮要求（因樣本中有氮存在）：
● 惰性基片可用于高溫環(huán)境下，通過TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應(yīng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)觀察。
● 作為耐用（如“強(qiáng)力”）基片，首先在TEM下，然后在SEM下對同一區(qū)域進(jìn)行“匹配”。
● 作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進(jìn)行比較。
● 聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們*使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。
氧化硅薄膜TEM網(wǎng)格操作使用：
如果正確操作，氧化硅薄膜將會擁有非常好的性能。相反，若用工具直接接觸薄膜，則會即刻損壞薄膜。為防損壞，可用尖嘴鑷子小心夾取，就像夾取其他TEM網(wǎng)格一樣。
使用前清潔：
氧化硅薄膜窗格在使用前不需進(jìn)行額外清潔。有時(shí)薄膜表面邊角處會散落個(gè)別氧化物或氮化物碎片。由于單片網(wǎng)格需要從整個(gè)硅片中分離，并對外框進(jìn)行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會對您的實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生任何影響。
如果用戶確實(shí)需要對這些碎片進(jìn)行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 （1:1）溶液清潔有機(jī)物，用H2O:HCl: H2O2 （5:3:3）溶液清潔金屬。
通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。
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