特征

• 可以執(zhí)行關(guān)鍵的下一代晶圓工藝所需的1×10 ¹⁶原子/cm ^{2或更高的無(wú)損傷離子注入剝離工藝和聚合物去除工藝。}

• 腔室配置適合氟基氣體添加工藝，使其無(wú)顆粒。因此，可以構(gòu)建從普通PR到離子注入剝離、有機(jī)膜剝離（PI、DFR等）剝離、氧化膜蝕刻等廣泛的工藝。

• 采用簡(jiǎn)單的設(shè)備配置，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了“出色的可維護(hù)性和可靠性”和“低成本”。

• 可以實(shí)現(xiàn)靈活的腔室配置（μwave、RIE、μwave + RIE），并且可以選擇多種傳輸路線。

• 晶圓尺寸只需通過(guò)配方設(shè)置即可更改，因此更改晶圓尺寸非常容易。

目的

• 離子注入剝離工藝（1 x 10 ¹⁶原子/cm ²或更多）和前端工藝中的聚合物去除

• 需要CF4添加_{工藝的晶圓工藝（電子元件/LED）}

• 芯片尺寸封裝和BUMP工藝

• CCD彩色濾光片制造工藝

規(guī)格