MDPspot少子壽命測(cè)試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

低成本桌面單點(diǎn)測(cè)量硅片或晶磚，用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品，無(wú)需內(nèi)置自動(dòng)化。可選手動(dòng)操作的z軸厚度高達(dá)156毫米的硅磚樣品，高達(dá)156毫米硅磚，結(jié)果可視化的標(biāo)準(zhǔn)軟件。

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

MDPspot W

包括一個(gè)額外的電阻率測(cè)量選項(xiàng)。測(cè)量硅電阻率，可用于沒(méi)有高度調(diào)節(jié)可能性的晶圓，或晶磚。必須預(yù)先定義這兩個(gè)選項(xiàng)中一個(gè)。

特點(diǎn)：        

◇  無(wú)接觸無(wú)破壞的電學(xué)半導(dǎo)體特性        

◇  包括μ-PCD測(cè)量選項(xiàng)        

◇  對(duì)迄今為止看不見(jiàn)的缺陷的可視化和外延層的研究具有優(yōu)良的靈敏度        

◇  集成多達(dá)四個(gè)激光器，用于寬的注入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評(píng)估目的的地圖         

技術(shù)規(guī)格:   

MDPspot 應(yīng)用：

鐵濃度測(cè)定

鐵的濃度的精確測(cè)定是非常重要的，因?yàn)殍F是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準(zhǔn)確和快速地測(cè)量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測(cè)量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

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陷阱濃度測(cè)定

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對(duì)太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測(cè)量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。

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注入相關(guān)測(cè)量

少數(shù)載流子壽命強(qiáng)烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息。

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優(yōu)點(diǎn)：        

◇  臺(tái)式裝置，用于載流子壽命的單點(diǎn)測(cè)量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。        

◇  體積小，成本低，使用方便。附帶一個(gè)基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進(jìn)行結(jié)果可視化。        

◇  適用于硅片到磚，操作高度調(diào)節(jié)方便。

細(xì)節(jié)：        

◇  允許單晶圓片調(diào)查        

◇  不同的晶圓級(jí)有不同的配方        

◇  監(jiān)控物料、工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性      

附加選項(xiàng)：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測(cè)量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測(cè)量(MDP)

◇  軟件擴(kuò)展

◇  額外的激光器選配