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外延片電阻率方阻測試儀

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術(shù),替代進口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗,申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合

外延是半導(dǎo)體工藝當(dāng)中的一種。在bipolar工藝中,硅片最底層是P型襯底硅(有的加點埋層);然后在襯底上生長一層單晶硅,這層單晶硅稱為外延層;再后來在外延層上注入基區(qū)、發(fā)射區(qū)等等。最后基本形成縱向NPN管結(jié)構(gòu):外延層在其中是集電區(qū),外延上面有基區(qū)和發(fā)射區(qū)。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產(chǎn),所以他們買別人做好外延工藝的外延片來接著做后續(xù)工藝。

半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片,它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷
外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用,在IC中用量不大,它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2~20μm,而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片)和725μm (200mm片)。
外延沉積既可(同時)一次加工多片,也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200 mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。

 



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