PHI X射線光電子能譜儀

• 產品特點

• PHI Genesis 500是新一代配置了全自動多功能掃描聚焦X 射線光電子能譜，易操作式多功能選配附件，能夠實現(xiàn)全自動樣品傳送停放，同時還具備高性能大面積和微區(qū)XPS 分析，快速準確深度剖析，為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供多方面的解決方案。

• 詳細介紹

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  PHI Genesis 500是新一代配置了全自動多功能掃描聚焦X 射線光電子能譜，易操作式多功能選配附件，能夠實現(xiàn)全自動樣品傳送停放，同時還具備高性能大面積和微區(qū)XPS 分析，快速準確深度剖析，為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供多方面的解決方案。

  

  關鍵技術

  易操作式多功能選配附件

  全自動樣品傳送停放

  高性能大面積和微區(qū)XPS 分析

  快速準確深度剖析

  為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供多方面解決方案 

  簡單易操作

  PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。
  操作界面可在同一個屏幕內設置常規(guī)和高級的多功能測試參數(shù)，同時保留諸如進樣照片導航和SXI 二次電子影
  像準確定位等功能。

  

  簡單友好的用戶界面

  PHI GENESIS 提供了一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面，對于操作人員非常友好，操作人員執(zhí)行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內的自動化分析。

  多功能選配附件

  原位的多功能自動化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導帶到HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術，相比于傳統(tǒng)的XPS 而言，PHI GENESIS 體現(xiàn)了的性能價值。

  

  優(yōu)良解決方案：

  高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿足所有表面分析需求。

  

  多數(shù)量樣品大面積分析

  把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內

  可同時使用三個樣品托

  80mm×80mm 的大樣品托可放置多數(shù)量樣品

  可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品

  

  可聚焦≤ 5μm 的微區(qū)X 射線束斑

  在PHI GENESIS 中，聚焦掃描X 射線源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進行導航、準確定位、多點多區(qū)域同時分析測試以及深度剖析。

  

  大幅提升的二次電子影像（SXI）
  二次電子影像（SXI）準確定位，保證了所見即所得。5μmX 射線束斑為微區(qū)XPS分析應用提供了新的機遇。

  快速深度剖析

  PHI GENESIS 可實現(xiàn)高性能的深度剖析。聚焦X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子設備和高效雙束中和系統(tǒng)可實現(xiàn)全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內進行多點同時分析。

  高性能的深度剖析能力
  

  ( 下圖左) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
  ( 下圖右) 在LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從LiCoO2 層轉移到LiPON 層中，使Co 在LoCoO2 層富Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

  

  角分辨XPS 分析

  PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區(qū)分析和高度可重現(xiàn)的中和性能確保了對樣品角分辨分析的性能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉相結合，可同時實現(xiàn)角度的高分辨率和能量的高分辨率。

  

  

  應用領域

  主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材
  料及器件領域。
  用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領域的優(yōu)良功能材料都是復雜的多組分材料，其研發(fā)依賴于化學結
  構到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦X 射線
  光電子能譜儀，具有性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。

  PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用

  電池 (AES + Transfer Vessel)

  “LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學成像”
  Li 基材料例如LiPON，對電子束輻照敏感。
  PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取AES 化學成像。

  

  有機器件 (UPS / LEIPS + GCIB)

  使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 測量能帶結構
  （1）C60 薄膜表面
  （2）C60 薄膜表面清潔后
  （3）C60 薄膜/Au 界面
  （4）Au 表面
  通過UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。

  

  半導體 (XPS + HAXPES)

  半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學態(tài)進行無損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。

  

  微電子 (HAXPES)

  微小焊錫點分析
  HAXPES 分析數(shù)據(jù)顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于XPS 分析數(shù)據(jù)，這是由于Sn 球表面被氧化，隨著深度的加深，金屬態(tài)Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特點。