霍爾遷移率測(cè)試儀產(chǎn)品描述

設(shè)備主要利用微波測(cè)試原理，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，具有快速，無損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì)，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制。

特點(diǎn)

適用于遷移率量測(cè)范圍在100cm²/V · s～3000cm²/V · s 的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測(cè)試，具有測(cè)試速度快，

重復(fù)性佳，測(cè)試敏感性高，可以直接測(cè)試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)參數(shù)

微波-霍爾法測(cè)試半導(dǎo)體方阻及載流子遷移率的原理

原理：

利用微波源發(fā)射微波通過波導(dǎo)將微波傳輸至測(cè)試樣品表面，在磁場(chǎng)作用下具有不同遷移率的樣品對(duì)微波的反射效果不同，

通過探測(cè)反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的電導(dǎo)張量，從而建立模型可以計(jì)算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。

微波-霍爾法測(cè)試半導(dǎo)體方阻核心算法相關(guān)性

對(duì)應(yīng)信號(hào)和方阻值得擬合曲線，如下圖所示：

遷移率Mapping5點(diǎn)測(cè)試報(bào)告

 憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試、氧化鎵測(cè)試、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試。

霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ