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CMP設(shè)備拋光液控制專(zhuān)用超聲波流量計(jì)

參考價(jià)1500-100000/件
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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公司代理品牌

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產(chǎn)地類(lèi)別 進(jìn)口 產(chǎn)品種類(lèi) 超聲波
價(jià)格區(qū)間 5萬(wàn)-10萬(wàn) 介質(zhì)分類(lèi) 氣體&液體
應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子,制藥,電氣

CMP設(shè)備拋光液控制專(zhuān)用超聲波流量計(jì)

一、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)基本概念:

CMP,即化學(xué)機(jī)械拋光,是一種通過(guò)化學(xué)和機(jī)械相結(jié)合的方式對(duì)硅片表面進(jìn)行精確研磨和拋光的技術(shù)。正是這一技術(shù)的硬件基礎(chǔ),它能夠?qū)崿F(xiàn)硅片表面的全局平坦化,為后續(xù)的工藝提供良好的基礎(chǔ)。CMP設(shè)備是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝設(shè)備。

CMP設(shè)備拋光液控制專(zhuān)用超聲波流量計(jì)

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1、CMP 設(shè)備基本情況

1)CMP主要主要過(guò)程

CMP過(guò)程包括三個(gè)主要步驟:拋光、清洗和傳送。拋光過(guò)程中,拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料發(fā)生反應(yīng),形成一層可被機(jī)械移除的薄膜,隨后拋光墊通過(guò)機(jī)械作用去除這層薄膜,從而實(shí)現(xiàn)表面的平滑。

2)CMP設(shè)備的主要類(lèi)型

CMP設(shè)備根據(jù)應(yīng)用端需求可分為8英寸、12英寸以及6/8英寸兼容設(shè)備。

3)CMP設(shè)備的主要應(yīng)用領(lǐng)域

主要用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,且半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈可分為晶圓材料制造、半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體制造、封裝測(cè)試四大環(huán)節(jié)。除半導(dǎo)體設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)外,其他領(lǐng)域均有 CMP 設(shè)備應(yīng)用:

①晶圓材料制造環(huán)節(jié):在拋光環(huán)節(jié)需要應(yīng)用 CMP 設(shè)備得到平整的晶圓材料。












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