ScIDre HKZ 高溫高壓光學(xué)浮區(qū)爐
- 公司名稱 北京盈思拓科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào) ScIDre HKZ
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時(shí)間 2024/11/18 15:50:35
- 訪問次數(shù) 110
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德國(guó)SciDre公司推出的高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長(zhǎng)溫度,晶體生長(zhǎng)腔壓力可達(dá)300bar,甚至10-5mbar的高真空。適用于生長(zhǎng)各種超導(dǎo)材料單晶,介電和磁性材料單晶,氧化物及金屬間化合物單晶等。
┃ 設(shè)備技術(shù)參數(shù)
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采用垂直式光路設(shè)計(jì)
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采用高照度短弧氙燈,多種功率規(guī)格可選
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熔區(qū)溫度:>3000℃
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熔區(qū)壓力:10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選
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氧氣/氬氣/氮?dú)?空氣/混合氣等多種氣路可選
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采用光柵控制技術(shù),加熱功率從0-99% 連續(xù)可調(diào)
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樣品腔可實(shí)現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境
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豐富的可升選件