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Plasmalab 133 牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機(jī)
- 公司名稱 艾博納微納米科技(江蘇)有限責(zé)任公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Plasmalab 133
- 產(chǎn)地 江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號(hào)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/11/4 8:28:25
- 訪問(wèn)次數(shù) 237
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牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機(jī) Plasmalab 133。刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導(dǎo)體器件的整個(gè)制造過(guò)程中,刻蝕步驟多達(dá)上百個(gè),是半導(dǎo)體制造中常見(jiàn)的工藝之一。本設(shè)備支持的晶圓尺寸最大為300mm(330mm基臺(tái))RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率:600W,13.56MHz水冷電極:10C-80C終點(diǎn)檢測(cè):Verity光發(fā)射光譜(200-800nm)帶8條氣體管線的氣體艙,包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器(MFCs):Ar:100sccmCl2:100sccmBCl3:100sccmN2O:200sccmCHF3:200sccmNH3:100sccmCH4:50sccm
射頻功率:600W,13.56MHz
水冷電極:10C-80C
終點(diǎn)檢測(cè):Verity光發(fā)射光譜(200-800nm)
帶8條氣體管線的氣體艙,包括以下7個(gè)質(zhì)量流量控制器(MFCs):
Ar:100sccm
Cl2:100sccm
BCl3:100sccm
N2O:200sccm
CHF3:200sccm
NH3:100sccm
CH4:50sccm