1 產(chǎn)品概述:

      離子注入設備，又稱為離子注入機，是半導體制造中的關(guān)鍵設備之一。它通過將可控數(shù)量的離子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半導體材料（如硅片）的特定區(qū)域，以改變其電學性能，實現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術(shù)具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力，是現(xiàn)代集成電路制造中的一環(huán)。

離子注入設備主要由離子源、離子引出和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負責產(chǎn)生所需的離子，經(jīng)過質(zhì)量分析器篩選后，由加速管加速至幾百千電子伏特的能量，最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環(huán)境，確保離子注入過程的順利進行。

2 設備用途：

離子注入設備在半導體制造領(lǐng)域具有廣泛的用途，主要包括以下幾個方面：

1. 集成電路制造：在制造集成電路的過程中，離子注入技術(shù)用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關(guān)鍵區(qū)域，以及實現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。

2. 金屬材料表面改性：通過離子注入技術(shù)，可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層，如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

3. 薄膜制備：離子注入技術(shù)還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料，如超導薄膜、光學薄膜等。

3 設備特點

離子注入設備具有以下幾個顯著特點：

1. 精確控制：離子注入技術(shù)可以精確控制摻雜離子的種類、數(shù)量、深度和橫向分布，滿足集成電路制造中對摻雜精度要求。

2. 低溫處理：與傳統(tǒng)的熱擴散工藝相比，離子注入技術(shù)可以在較低的溫度下進行，避免了高溫處理對半導體材料性能的影響。

3. 廣泛應用：離子注入技術(shù)不僅應用于半導體制造領(lǐng)域，還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領(lǐng)域。

4 技術(shù)參數(shù)和特點：

 •基板尺寸：Max200mm枚葉式

可對應薄片Wafer

•非質(zhì)量分離機的對比優(yōu)點

1)對應低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設備

2)相比過去約一半的低價

3)相比過往設備占用面積為1/3的緊湊型設計