●該設備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導電膜、半導體膜和非導電膜等功能薄膜的制備，可實現(xiàn)共濺射，直流、射頻兼容，適于科研院所和企業(yè)進行功能薄膜研發(fā)、教學和新產(chǎn)品開發(fā)，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。建議選用公Research系列磁控濺射平臺。

●主體結(jié)構：全封閉框架結(jié)構，機柜和主機為分體式機構。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優(yōu)于國家標準。    

●真空配置：高速直聯(lián)旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規(guī)，一路電離規(guī)；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。

●工件架系統(tǒng)：行星工件盤與公轉(zhuǎn)工件盤可選，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個加熱臺，采用PID控制可烘烤加熱到700℃。

●磁控濺射系統(tǒng)：配置３個Φ50mm可折疊磁控靶（可擴展至4靶機構），向上濺射成膜；靶基距可調(diào)；靶內(nèi)均通入冷卻水冷卻。

●電源 ：2套直流電源；1套全固態(tài)射頻電源；一套200W直流偏壓電源。

●充氣系統(tǒng)：配置三路供氣，二路分別配置質(zhì)量流量控制器，線性±0.5 % F.S，重復精度±0.2% F.S，0-5V輸出，在觸摸屏上設置流量。

●電氣控制系統(tǒng)：采用功能化模塊設計，匹配西門子人機界面+西門子控制單元，濺射時間可以設定并倒計時，能夠根據(jù)工藝需求自動濺射。

●特別說明：根據(jù)用戶不同的工況和工藝要求，公司愿與客戶聯(lián)合研發(fā)，共享知識產(chǎn)權，公司致力于工藝與設備的匹配，該設備為公司與電子科技大學聯(lián)合研發(fā)。