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WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 深圳市中圖儀器股份有限公司
  • 品牌 CHOTEST/中圖儀器
  • 型號
  • 產(chǎn)地 學苑大道1001號南山智園B1棟2樓、5樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/5/13 19:41:50
  • 訪問次數(shù) 844

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深圳市中圖儀器股份有限公司成立于2005年,致力于全尺寸鏈精密測量儀器及設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。


中圖儀器堅持以技術(shù)創(chuàng)新為發(fā)展基礎(chǔ),擁有一支集光、機、電、信息技術(shù)于一體的技術(shù)團隊,歷經(jīng)20年的技術(shù)積累和發(fā)展實踐,研發(fā)出了基礎(chǔ)計量儀器、常規(guī)尺寸光學測量儀器、微觀尺寸光學測量儀器、大尺寸光學測量儀器、常規(guī)尺寸接觸式測量儀器、微觀尺寸接觸式測量儀器、行業(yè)應用檢測設(shè)備等全尺寸鏈精密儀器及設(shè)備,能為客戶提供從納米到百米的精密測量解決方案。





三坐標測量機,影像儀,閃測儀,一鍵式測量儀,激光干涉儀,白光干涉儀,光學輪廓儀,激光跟蹤儀

WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。

1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù),同時生成Mapping圖;

2、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像,顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖,高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù);

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀,通過數(shù)值七點相移算法計算,達到亞納米分辨率測量表面的局部高度,實現(xiàn)膜厚測量功能;

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此計算出兩表面間的距離(即厚度),可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度,包括碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅等。

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測量功能

1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;

2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù);結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。


部分技術(shù)規(guī)格

品牌:CHOTEST中圖儀器

型號:WD4000系列


厚度和翹曲度測量系統(tǒng)

可測材料:砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

測量范圍:150μm~2000μm

掃描方式:Fullmap面掃、米字、自由多點

測量參數(shù):厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度


三維顯微形貌測量系統(tǒng)

測量原理:白光干涉

干涉物鏡:10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個)

可測樣品反射率:0.05%~100%

粗糙度RMS重復性:0.005nm

測量參數(shù):顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù)


膜厚測量系統(tǒng)

測量范圍:90um(n= 1.5)

景深:1200um

最小可測厚度:0.4um


紅外干涉測量系統(tǒng)

光源:SLED

測量范圍:37-1850um


晶圓尺寸:4"、6"、8"、12"

晶圓載臺:防靜電鏤空真空吸盤載臺

X/Y/Z工作臺行程:400mm/400mm/75mm

如有疑問或需要更多詳細信息,請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢。


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應用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

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通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。


2、無圖晶圓粗糙度測量

無圖晶圓粗糙度測量.jpg

Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數(shù)據(jù)計算重復性為0.046987nm,測量穩(wěn)定性良好。

懇請注意:因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。



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